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          博客專欄

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          中國(guó)內(nèi)地在ISSCC、IEDM、VLSI三大會(huì)議的發(fā)文數(shù)量大幅提升,彰顯高校集成電路研究水平

          發(fā)布人:xinsixiang 時(shí)間:2022-11-01 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

          每年,IEEE都舉辦一系列國(guó)際性的研討會(huì),不過(guò)在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域,最有盛名的當(dāng)屬ISSCCInternational Solid-State Circuits Conference,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)、IEDMInternational Electron Devices Meeting,國(guó)際電子器件會(huì)議)、VLSISymposium on VLSI Technology and Circuits,超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會(huì)),這三大會(huì)議,并稱集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的奧林匹克盛會(huì)。

          ISSCC始于1954年,是在每年的1月或2月召開,討論的議題包括模擬電路、數(shù)字電路、電源管理、圖像/MEMS以及機(jī)器學(xué)習(xí)的等集成電路設(shè)計(jì)方向前沿進(jìn)展。在ISSCC70年的歷史里,眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如第一個(gè)TTL電路 (1962),第一個(gè)集成模擬放大器電路(1968),第一個(gè)容量1KDRAM (1970), 第一個(gè)8位微處理器 (1974)和第一個(gè)32位微處理器 (1981),第一個(gè)容量1MDRAM (1984)和第一個(gè)容量1GDRAM (1995),第一個(gè)集成GSM 收發(fā)器 (1995),第一個(gè)GHz的微處理器 (2002),第一個(gè)多核處理器 (2005)等等。注意:ISSCC論文截稿時(shí)間9月初,會(huì)議時(shí)間第二年的2月。

          IEDM始于1955年,最早是在10月召開,從1972開始固定在12月召開,會(huì)議時(shí)間最初是2天,從1961年會(huì)議時(shí)間生長(zhǎng)至3天;會(huì)議討論的議題涵蓋制造、設(shè)計(jì)、物理和建模等各個(gè)方面,從最先進(jìn)的CMOS工藝到Memory和顯示技術(shù),從化合物半導(dǎo)體到納米器件,從MEMS到智能電源等。1962年的論文中首次提到MOSFET1975年戈登·摩爾在IEDM大會(huì)上發(fā)表《Progress in Digital Integrated Electronics數(shù)字集成電子工業(yè)的進(jìn)展》的報(bào)告,對(duì)摩爾定律進(jìn)行了重新修正。注意:IEDM論文截稿時(shí)間7月中,會(huì)議時(shí)間當(dāng)年12月。

          這兩大會(huì)議都是由美國(guó)半導(dǎo)體界主導(dǎo)的,到了1980年代,日本的半導(dǎo)體已經(jīng)超越美國(guó),日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界就開始要自立門戶,要?jiǎng)?chuàng)辦日本人主導(dǎo)的大會(huì)。

          于是在1981年,超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(Symposium on VLSI Technology)正式舉行,主要在年中舉行,位于ISSCCIEDM會(huì)期的中間,主要討論超大規(guī)模集成電路制造和設(shè)計(jì)。1988年舉辦的功率半導(dǎo)體和電路領(lǐng)域的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSDInternational Symposium on Power Semiconductor devices and ICs)也是日本半導(dǎo)體界從IEDM會(huì)議中強(qiáng)力分立出來(lái)的。注意:VLSI論文截稿時(shí)間2月初,會(huì)議時(shí)間當(dāng)年 6月。

          ISSCC、IEDM、VLSI三大會(huì)議在國(guó)際半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域的學(xué)術(shù)界以及工業(yè)界均享有很高的學(xué)術(shù)地位和廣泛影響,主要是源于會(huì)議文章不僅需要學(xué)術(shù)上的創(chuàng)新,更需要體現(xiàn)成果的產(chǎn)業(yè)價(jià)值和技術(shù)前沿性。每年英特爾(Intel)、IBM、三星(Samsung)、IMEC和臺(tái)積電(TSMC)等國(guó)際知名半導(dǎo)體公司以及世界知名高校都會(huì)在三大會(huì)議上發(fā)布各自最新研究進(jìn)展。

          ISSCC、IEDMVLSI三大會(huì)議源遠(yuǎn)流長(zhǎng),特別是ISSCC、IEDM都是在集成電路發(fā)明之前就開始舉辦了,可謂是一路伴隨半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

          中國(guó)內(nèi)地在三大盛會(huì)的腳步

          中國(guó)半導(dǎo)體界第一次在世界上發(fā)出聲音就是在IEDM。1979年,當(dāng)時(shí)在陜西微電子研究所(現(xiàn)西安微電子技術(shù)研究所)工作的黃敞先生代表中國(guó)大陸第一次登上了世界半導(dǎo)體的講臺(tái),發(fā)表了題為《Transient response of I2L》的論文,和IBM、德州儀器、通用電子、東芝等分在《SESSION 8:集成電路-先進(jìn)雙極集成電路》并于1979124日進(jìn)行了演講,這是黃敞先生以一作身份發(fā)表的第三篇文章,早在美國(guó)工作時(shí),1955年和1956年就以第一作者的身份在IEDM上發(fā)表了兩篇論文(其中一篇的合作者是臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀),那時(shí)IEDM剛起步;1980年成都電訊工程學(xué)院(現(xiàn)電子科技大學(xué))教授毛鈞業(yè)的論文入選IEDM,這是中國(guó)內(nèi)地高校在世界上首次發(fā)聲;在沉寂了24年后,2004年中國(guó)半導(dǎo)體界找回了感覺,中芯國(guó)際、清華大學(xué)、中科院上海微系統(tǒng)所分別代表工業(yè)界、學(xué)術(shù)界和研究界在IEDM齊齊發(fā)聲,向全球同行展示了國(guó)內(nèi)在半導(dǎo)體技術(shù)上的長(zhǎng)足進(jìn)步。

          2005年中國(guó)內(nèi)地雖然在IEDM出現(xiàn)空窗期,但是卻在ISSCCVLSI實(shí)現(xiàn)了突破,成功實(shí)現(xiàn)首發(fā)。

          2005ISSCC首次錄用中國(guó)內(nèi)地的論文的作者來(lái)自工業(yè)界的艾迪悌新濤科技(新濤科技創(chuàng)辦于1997年,2001年被艾迪悌以8500萬(wàn)美元收購(gòu),新濤科技創(chuàng)始人之一楊崇和2004年再創(chuàng)辦瀾起科技);2006年入選論文來(lái)自科研機(jī)構(gòu)中科院半導(dǎo)體所2007年,鼎芯通訊發(fā)布了CMOS TD-SCDMA射頻收發(fā)芯片,這是首顆在ISSCC發(fā)布的中國(guó)芯;2008清華大學(xué)代表中國(guó)內(nèi)地高校亮相。

          2005VLSI電路會(huì)議首次錄用中國(guó)內(nèi)地論文的作者來(lái)自中科院半導(dǎo)體所石寅研究員團(tuán)隊(duì);但是VLSI技術(shù)會(huì)議首次錄用中國(guó)內(nèi)地論文的時(shí)間是2008年,文章來(lái)自北京大學(xué)康晉鋒教授團(tuán)隊(duì)。

          2005年以后,中國(guó)內(nèi)地在三大會(huì)議上不再缺席。

          高校方面,2007北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)IEDM首發(fā);2009復(fù)旦大學(xué)ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā);2010復(fù)旦大學(xué)VLSI電路和技術(shù)都實(shí)現(xiàn)首發(fā),2011上海交通大學(xué)IEDM首發(fā);2013浙江大學(xué)IEDM首發(fā);2014重慶大學(xué)VLSI技術(shù)都實(shí)現(xiàn)首發(fā);2016西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)、中山大學(xué)IEDM首發(fā),2016電子科技大學(xué)、南京理工大學(xué)VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2017南京大學(xué)、山東大學(xué)、天津大學(xué)IEDM首發(fā),2017清華大學(xué)VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2018北京大學(xué)、電子科技大學(xué)ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2018華中科技大學(xué)、南方科技大學(xué)IEDM首發(fā);2019上海交通大學(xué)ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2019北京航空航天大學(xué)IEDM首發(fā),2019東南大學(xué)、浙江大學(xué)VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2020天津大學(xué)、西安交通大學(xué)ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2020南京郵電大學(xué)IEDM首發(fā);2021浙江大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2021華東師范大學(xué)IEDMVLSI技術(shù)實(shí)現(xiàn)雙首發(fā),2021西安交通大學(xué)IEDM首發(fā);2022東南大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、西湖大學(xué)IEDM首發(fā)。

          科研機(jī)構(gòu)方面,2011中科院計(jì)算所ISSCC上實(shí)現(xiàn)首發(fā),2014年中科院微電子所在IEDM首發(fā);2015中科院半導(dǎo)體所IEDM首發(fā); 2016中科院微電子所VLSI技術(shù)都實(shí)現(xiàn)首發(fā);2020之江實(shí)驗(yàn)室、中科院蘇州醫(yī)工所IEDM首發(fā),2020科院微電子所在VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2021中電科38所、中科院微電子所ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā)。

          工業(yè)界方面,首先是美國(guó)在華獨(dú)資企業(yè)率先發(fā)力,2016ADI上海ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā);2017ADI北京ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2017Marvell上海VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2018新驅(qū)創(chuàng)柔光電、有研集團(tuán)IEDM首發(fā),2018ADI上海VLSI電路實(shí)現(xiàn)首發(fā);2020線易電子ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2020紫光國(guó)芯IEDM首發(fā);2021百度、南京低功耗研究院ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā);2022紐瑞芯科技ISSCC實(shí)現(xiàn)首發(fā),2022合肥??莆?、A1(大家都知道的公司)在VLSI技術(shù)實(shí)現(xiàn)首發(fā)。在中國(guó)工業(yè)界在ISSCCIEDM都實(shí)現(xiàn)首發(fā)后,2022年中國(guó)內(nèi)地工業(yè)界也在VLSI實(shí)現(xiàn)了首發(fā)。有更多的公司與高校和科研機(jī)構(gòu)合作,包括華虹宏力、兆易創(chuàng)新、武漢新芯、天馬微、華潤(rùn)上華、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等。

          中國(guó)內(nèi)地三大會(huì)議論文情況

          ISSCC、IEDM、VLSI三大會(huì)議歷年總共錄用超過(guò)26500篇論文,平均每個(gè)會(huì)議每年錄用超過(guò)200篇文章。近兩年來(lái),IEDM錄用中國(guó)內(nèi)地的論文約30篇,約占15%;ISSCC錄用中國(guó)內(nèi)地的論文在20篇以內(nèi)約占10%;VLSI錄用中國(guó)內(nèi)地的論文約10篇,約占10%。

          截止2022年,包括IEDM2022還未演講的論文,中國(guó)內(nèi)場(chǎng)共計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表文章394篇,其中IEDM235篇,ISSCC94篇,VLSI65篇。中國(guó)內(nèi)地在三大盛會(huì)都實(shí)現(xiàn)論文發(fā)表的單位有9家,分別是北京大學(xué)、清華大學(xué)、中科院微電子所、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)、電子科技大學(xué)、東南大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所(按論文發(fā)布總數(shù)排名)。

          圖片

          北京大學(xué)、清華大學(xué)位居論文數(shù)量前兩位,兩大高校各有側(cè)重,北京大學(xué)在IEDM數(shù)量上占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì);而清華大學(xué)在ISSCCVLSI的數(shù)量都位居內(nèi)地高校首位。

          北京大學(xué)黃如教授團(tuán)隊(duì)2007年在IEDM實(shí)現(xiàn)首發(fā)后,已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM上展示其強(qiáng)大研究實(shí)力;2018年更是以9篇入選數(shù)量成為IEDM 2018接收來(lái)自全世界論文最多的高校,這也是IEDM歷史上首次由中國(guó)內(nèi)地高校在論文數(shù)量上領(lǐng)銜;隨后2021年以7篇入選數(shù)量、2022年以12篇入選數(shù)量成為當(dāng)年會(huì)議接收來(lái)自全世界論文最多的高校。至今已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文104篇,居中國(guó)內(nèi)地各單位之首,其中82IEDM(居中國(guó)內(nèi)地各高校之首),ISSCCVLSI11篇。

          清華大學(xué)已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文81篇,其中38IEDM,28ISSCC(居中國(guó)內(nèi)地高校之首),15VLSI(居中國(guó)內(nèi)地高校之首)

          中科院微電子所已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文42篇,其中27IEDM1ISSCC,14VLSI。論文主要出自劉明院士團(tuán)隊(duì)。

          復(fù)旦大學(xué)已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文25篇,15ISSCC,5VLSI,5IEDM。其中2012年的論文是中國(guó)內(nèi)地高校在ISSCC會(huì)議上第一次發(fā)表關(guān)于處理器方面的文章。

          電子科技大學(xué)已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文15篇,其中張波教授團(tuán)隊(duì)自2009年以來(lái)持續(xù)在ISPSD(國(guó)際功率半導(dǎo)體器件討論會(huì))大會(huì)上發(fā)表文章,發(fā)文累計(jì)超過(guò)80篇,更是在2020年首次成功入選IEDM,打破了學(xué)校自1980年以來(lái)的40年在IEDM的沉寂,同時(shí)該論文的擴(kuò)展版本受邀發(fā)表在電子器件領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE T-EDSpecial issueExtended Versions of Outstanding Student Papers Presented at IEDM 2020)上。2018年電子科技大學(xué)在ISSCC上實(shí)現(xiàn)突破;2016年在VLSI上實(shí)現(xiàn)首發(fā)。

          浙江大學(xué)已經(jīng)累計(jì)在三大會(huì)議發(fā)表論文22篇,13IEDM,5ISSCC4VLSI。

          東南大學(xué)楊軍教授團(tuán)隊(duì)2019年在ISSCC上發(fā)表的論文不僅實(shí)現(xiàn)東南大學(xué)的開門紅,也是首篇中國(guó)內(nèi)地存儲(chǔ)相關(guān)論文入選,2020ISSCC上發(fā)表AI芯片亮點(diǎn)論文;而在VLSI方面,楊軍團(tuán)隊(duì)在2019年也實(shí)現(xiàn)首發(fā)。孫偉鋒教授團(tuán)隊(duì)2012年開始持續(xù)在ISPSD(國(guó)際功率半導(dǎo)體器件討論會(huì))大會(huì)上發(fā)表文章,2021年在ISSCC會(huì)議實(shí)現(xiàn)首發(fā),2022年在IEDM發(fā)表的兩篇論文也是東南大學(xué)在IEDM會(huì)議取得突破。

          北京航空航天大學(xué)趙巍勝教授團(tuán)隊(duì)2019年在IEDM首發(fā)自旋芯片相關(guān)論文以來(lái),已經(jīng)發(fā)布5篇,在2021年更是以3篇的入選數(shù)量成為入選自旋芯片領(lǐng)域論文最多的單位。

          山東大學(xué)2016年引入陳杰智教授后,從2017年開始至今,已經(jīng)在IEDM發(fā)表了8篇論文。

          西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)憑借在寬禁帶半導(dǎo)體的核心設(shè)備、材料生長(zhǎng)到器件研制的重大創(chuàng)新,自2016年以來(lái),已經(jīng)在IEDM上發(fā)表4篇論文;而在超寬禁帶半導(dǎo)體方面,也在學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表了多篇文章。

          中國(guó)內(nèi)地高校的芯片研發(fā)逐步加強(qiáng)

          394篇論文中,來(lái)自高校的有312篇,來(lái)自研究機(jī)構(gòu)的有63篇,特別是近年來(lái)呈現(xiàn)明顯的上升趨勢(shì),這也充分說(shuō)明中國(guó)內(nèi)地高校在芯片設(shè)計(jì)方面的實(shí)力開始顯現(xiàn)。

          2007北京大學(xué)黃如教授團(tuán)隊(duì)IEDM會(huì)議首次發(fā)表中國(guó)內(nèi)地集成電路主流MOS器件方面的論文后,已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM發(fā)表相關(guān)論文。

          PLL方面:2008清華大學(xué)代表中國(guó)內(nèi)地高校首次亮相ISSCC,王志華教授團(tuán)隊(duì)博士生喻學(xué)藝依靠PLL論文成為中國(guó)內(nèi)地第一個(gè)獲頒ISSCC Silk Road Award絲綢之路獎(jiǎng)的學(xué)生。在2009年,喻學(xué)藝和復(fù)旦大學(xué)唐長(zhǎng)文教授團(tuán)隊(duì)的博士生盧磊分別發(fā)表PLL論文,標(biāo)志著中國(guó)內(nèi)地PLL的研究已經(jīng)達(dá)到世界先進(jìn)水平。

          中國(guó)內(nèi)地處理器在ISSCC實(shí)現(xiàn)三連貫:2011中科院計(jì)算所龍芯3B處理器發(fā)布,這是中國(guó)內(nèi)地第一次發(fā)表關(guān)于處理器方面的文章;2012復(fù)旦大學(xué)ISSCC上介紹了一款16核處理器的設(shè)計(jì),這是是中國(guó)內(nèi)地高校在ISSCC會(huì)議上第一次發(fā)表關(guān)于處理器方面的文章;2021中科院計(jì)算所龍芯3B1500處理器發(fā)布,采用32nmK金屬柵工藝,硅片面積182.5mm2,晶體管數(shù)目達(dá)到11億個(gè),集成8核心向量處理器,峰值運(yùn)算能力可達(dá)192GFLOPS。

          ADC/DAC方面:首先在DAC上取得突破,2005中科院半導(dǎo)體所石寅團(tuán)隊(duì)的倪衛(wèi)寧在VLSI發(fā)表中國(guó)內(nèi)地第一篇有關(guān)DAC的論文;2018電子科技大學(xué)李強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)的陳海文在VLSI發(fā)表中國(guó)內(nèi)地第一篇有關(guān)ADC的論文;2020清華大學(xué)劉佳欣與孫楠教授團(tuán)隊(duì)在ISSCC發(fā)表完成中國(guó)內(nèi)地第一篇ADC論文。

          可重構(gòu)計(jì)算、人工智能方面:清華大學(xué)尹首一教授、劉雷波教授和魏少軍教授團(tuán)隊(duì)、劉永攀教授團(tuán)隊(duì)、吳華強(qiáng)教授和錢鶴教授團(tuán)隊(duì)在ISSCCVLSI近年持續(xù)發(fā)表論文。

          在存儲(chǔ)方面,中國(guó)內(nèi)地高校有多個(gè)團(tuán)隊(duì)在對(duì)DRAM、3D FLASH和新型存儲(chǔ)進(jìn)行研究,包括劉明院士團(tuán)隊(duì)(中科院微電子所、復(fù)旦大學(xué))、北京大學(xué)黃如院士團(tuán)隊(duì)、清華大學(xué)吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)、東南大學(xué)楊軍教授團(tuán)隊(duì)、北航趙巍勝教授團(tuán)隊(duì)等,安徽大學(xué)在存儲(chǔ)研究方面也實(shí)力不俗;而在存內(nèi)計(jì)算方面,高校研發(fā)團(tuán)隊(duì)更是不可算數(shù)。

          后記

          394篇論文中,來(lái)自中國(guó)內(nèi)地產(chǎn)業(yè)界的只有11篇,算上外資企業(yè)的也不過(guò)19篇,說(shuō)明我國(guó)產(chǎn)業(yè)界在原始創(chuàng)新方面,還有很長(zhǎng)的路要走。反觀臺(tái)灣省,僅僅臺(tái)積電2022年在IEDM上就發(fā)表了13篇一作,還有多篇合作論文。

          針對(duì)國(guó)內(nèi)有網(wǎng)友評(píng)論說(shuō)目前內(nèi)地工業(yè)界不一定要在會(huì)議上發(fā)表論文來(lái)證明自己,有業(yè)界專家表示,近年來(lái),工業(yè)界在三大會(huì)議上發(fā)表的論文數(shù)量有所下降,但仍占有每年40%的數(shù)量。40%被錄用的稿件來(lái)自工業(yè)界,很難下結(jié)論說(shuō)這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對(duì)于技術(shù)研發(fā)和宣傳的態(tài)度,是以商業(yè)驅(qū)動(dòng)為主導(dǎo),不排除部分企業(yè)借會(huì)議平臺(tái)來(lái)擴(kuò)大自身的影響力。但三大會(huì)議對(duì)于文章的錄用是有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)的,其程序委會(huì)員的委員可不是白吃飯的,如果企業(yè)投稿不能詳細(xì)說(shuō)明令人認(rèn)同的技術(shù)細(xì)節(jié),是不可能被錄用的。對(duì)于在三大會(huì)議上發(fā)表論文,產(chǎn)業(yè)界不可太看重,但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄,而不是葡萄酸不酸的問題。

          另外在我國(guó)一個(gè)較迫切的問題是要堅(jiān)定的走產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的道路。今天,由政府資金推動(dòng)的大量科研項(xiàng)目,取得了豐富的科研成果,但總體上技術(shù)轉(zhuǎn)化率可能并不高。只有企業(yè)在高??蒲许?xiàng)目上投入巨額資金時(shí),對(duì)于技術(shù)成果轉(zhuǎn)化的要求才會(huì)更迫切,高校所受到壓力和推動(dòng)力也更大,也將更務(wù)實(shí)高效。

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