IEDM2022即將于12月3-7日在美國(guó)加州舊金山召開(kāi)！

IEDM是一個(gè)年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì)議，主要涵蓋半導(dǎo)導(dǎo)體和電子器件技術(shù)，從設(shè)計(jì)、制造、物理、模型和建模領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。IEDM始于1955年，每年12月份舉行。

1988年起，功率半導(dǎo)體內(nèi)容逐漸從IEDM獨(dú)立出來(lái)，成立了功率半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。

參加IEDM會(huì)議的代表有來(lái)自世界各地的學(xué)者、科學(xué)家、工程師、企業(yè)高管和政府機(jī)機(jī)構(gòu)人員，主要議題包括納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)存儲(chǔ)器、顯示技術(shù)、傳感器/MEMS器件、量子和納米器件、光電器件、功率器件、能量采集技術(shù)和超高速器件，以及半導(dǎo)體工藝技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)和仿真等。此外，也會(huì)討論和展示硅基、化合物和有機(jī)半導(dǎo)體材料和器件的最新研究進(jìn)展。近年來(lái)，集成電路技術(shù)領(lǐng)域的許多重大技術(shù)突破都是通過(guò)該會(huì)議正式發(fā)布的。IEDM上發(fā)表論文的數(shù)量很大程度上反映出一個(gè)單位在相關(guān)領(lǐng)域的研究水平。

今年恰逢晶體管發(fā)明75年周年，12月6日晚上8點(diǎn)將舉辦一場(chǎng)小組討論會(huì)，討論這項(xiàng)規(guī)模極小但不可替代的奇跡技術(shù)75年的重要性和未來(lái)發(fā)展。嘉賓來(lái)自IBM、imec、Intel、LAM、Micron、TEL等公司。

IEDM2022論文情況

IEDM2022年共計(jì)有224篇論文入選，亞洲109篇入選，美洲76篇入選，歐洲39篇入選。亞洲109篇中，中國(guó)68篇（內(nèi)地33篇，臺(tái)灣32篇，香港3篇），韓國(guó)21篇，日本11篇，新加坡9篇；美洲76篇中，美國(guó)75篇，加拿大1篇；歐洲39篇中，比利時(shí)17篇，法國(guó)7篇，德國(guó)6篇，瑞士、意大利各4篇，英國(guó)1篇。

按一作所在單位計(jì)算，IMEC貢獻(xiàn)16篇，臺(tái)積電貢獻(xiàn)13篇，北京大學(xué)貢獻(xiàn)12篇（包括2篇特邀報(bào)告），分別代表研究機(jī)構(gòu)、產(chǎn)業(yè)界和高校。

中國(guó)內(nèi)地在IEDM的腳步

中國(guó)半導(dǎo)體界第一次在世界上發(fā)出聲音就是在IEDM。1979年，當(dāng)時(shí)在陜西微電子研究所（現(xiàn)西安微電子技術(shù)研究所）工作的黃敞先生代表中國(guó)大陸第一次登上了世界半導(dǎo)體的講臺(tái)，發(fā)表了題為《Transient response of I²L》的論文，和IBM、德州儀器、通用電子、東芝等分在《SESSION 8：集成電路-先進(jìn)雙極集成電路》并于1979年12月4日進(jìn)行了演講。要提及的是黃敞先生在美國(guó)工作時(shí)，1955年和1956年就以第一作者的身份在IEDM上發(fā)表了兩篇論文（其中一篇的合作者是臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀），那時(shí)IEDM也剛起步。

1980年成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）教授毛鈞業(yè)的論文入選IEDM，這是中國(guó)內(nèi)地高校在世界上首次發(fā)聲。

在沉寂了24年后，2004年中國(guó)半導(dǎo)體界找回了感覺(jué)。中芯國(guó)際、清華大學(xué)、中科院上海微系統(tǒng)所分別代表產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界和研究界在IEDM齊齊發(fā)聲，向全球同行展示了國(guó)內(nèi)在半導(dǎo)體技術(shù)上的長(zhǎng)足進(jìn)步。

在經(jīng)過(guò)一年休整后，從2006年開(kāi)始，中國(guó)半導(dǎo)體各方勢(shì)力開(kāi)始逐步展示研究實(shí)力，已經(jīng)連續(xù)17年持續(xù)發(fā)文。

高校方面，繼清華大學(xué)后，2007年北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)在IEDM首發(fā)，2011年上海交通大學(xué)在IEDM首發(fā)，2013年浙江大學(xué)在IEDM首發(fā)， 2016年西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)、中山大學(xué)在IEDM首發(fā)，2017年南京大學(xué)、山東大學(xué)、天津大學(xué)在IEDM首發(fā)，2018年華中科技大學(xué)、南方科技大學(xué)在IEDM首發(fā)，2019年北京航空航天大學(xué)在IEDM首發(fā)，2020年南京郵電大學(xué)在IEDM首發(fā)，2021年華東師范大學(xué)、西安交通大學(xué)在IEDM首發(fā)，2022年東南大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、西湖大學(xué)在IEDM首發(fā)。

科研機(jī)構(gòu)方面，繼中科院止上海微系統(tǒng)所2014年中科院微電子所在IEDM首發(fā)，2015年中科院半導(dǎo)體所在IEDM首發(fā)，2020年之江實(shí)驗(yàn)室、中科院蘇州醫(yī)工所在IEDM首發(fā)。

產(chǎn)業(yè)方面，繼中芯國(guó)際后，2018年新驅(qū)創(chuàng)柔光電、有研集團(tuán)在IEDM首發(fā)，2020年紫光國(guó)芯在IEDM首發(fā)。有更多的公司與高校和科研機(jī)構(gòu)合作，包括華虹宏力、兆易創(chuàng)新、武漢新芯、天馬微、華潤(rùn)上華、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等。

中國(guó)內(nèi)地IEDM論文情況

中國(guó)內(nèi)地共貢獻(xiàn)33篇,同時(shí)香港大學(xué)有2篇和香港科技大學(xué)有1篇入選，合計(jì)中國(guó)大陸有36篇入選。

中國(guó)內(nèi)地33篇按一作所在單位計(jì)算，北京大學(xué)有12篇入選（包括2篇特邀報(bào)告），清華大學(xué)入選6篇，中科院微電子所入選3篇，位居前三！東南大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)各有2篇，北航、復(fù)旦、華東師范大學(xué)、華中科技大學(xué)、山東大學(xué)、上海交通大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西湖大學(xué)各有1篇。其中東南大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、西湖大學(xué)都是首次有論文入選。

按一作所在單位統(tǒng)計(jì)，從1979年至2022年，中國(guó)內(nèi)地共有32個(gè)單位在IEDM合計(jì)入選235篇論文，其中高校190篇，科研機(jī)構(gòu)41篇，工業(yè)界4篇。按單位發(fā)布數(shù)量來(lái)看，北京大學(xué)83篇，清華大學(xué)37篇，中科院微電子所26篇，浙江大學(xué)13篇；山東大學(xué)8篇，中科院微系統(tǒng)所7篇，上海交通大學(xué)6篇，北京航空航天大學(xué)、中山大學(xué)各5篇；復(fù)旦大學(xué)、華中科技大學(xué)、南京大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所各4篇；電子科技大學(xué)、東南大學(xué)、杭州之江實(shí)驗(yàn)室、華東師范大學(xué)、南方科技大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)各2篇；南京郵電大學(xué)、航天771所、上?？萍即髮W(xué)、天津大學(xué)、武漢新驅(qū)、西湖大學(xué)、西安交通大學(xué)、有研集團(tuán)、中科院蘇州醫(yī)工所、中芯國(guó)際、紫光國(guó)芯各1篇。

北京大學(xué)從2007年首發(fā)開(kāi)始，已經(jīng)連續(xù)16年在IEDM上展示其強(qiáng)大研究實(shí)力；2018年更是以9篇入選數(shù)量成為IEDM 2018接收來(lái)自全世界論文最多的高校，這也是IEDM歷史上首次由中國(guó)內(nèi)地高校在論文數(shù)量上領(lǐng)銜；2021年以7篇入選數(shù)量成為IEDM 2021接收來(lái)自全世界論文最多的高校；2022年以12篇入選數(shù)量成為IEDM 2022接收來(lái)自全世界論文最多的高校。

北京航空航天大學(xué)從2019年首發(fā)自旋芯片相關(guān)論文以來(lái)，已經(jīng)發(fā)布5篇，在2021年更是以3篇的入選數(shù)量成為入選自旋芯片領(lǐng)域論文最多的單位。

東南大學(xué)孫偉鋒團(tuán)隊(duì)從2012年開(kāi)始持續(xù)在ISPSD（國(guó)際功率半導(dǎo)體器件討論會(huì)）大會(huì)上發(fā)表文章，2021年在ISSCC會(huì)議實(shí)現(xiàn)首發(fā)，2022年又在IEDM會(huì)議取得突破，連中兩元。

以第一作者來(lái)統(tǒng)計(jì)，中科院微電子所的羅慶和北京大學(xué)王潤(rùn)聲以6篇并列第一，王潤(rùn)聲的6篇中有一篇是特邀報(bào)告；北京大學(xué)黃芊芊以5篇排名第二；北京大學(xué)黃鵬、清華大學(xué)田禾和高濱以4篇排名第三，高濱的4篇分屬兩個(gè)單位。

以第一作者身份在一年發(fā)2篇論文的有北京大學(xué)劉長(zhǎng)澤（2011年）、清華大學(xué)田禾（2014年）、羅慶（2015年）、楊建國(guó)（2020年）。

以第一作者身份持續(xù)2年及以上發(fā)文的共計(jì)23人，其中中科院微電子所羅慶連續(xù)5年（2015年-2019年）發(fā)6篇；北京大學(xué)劉長(zhǎng)澤連續(xù)2年（2011年-2012）發(fā)3篇；清華大學(xué)田禾連續(xù)2年（2013年-2014）發(fā)3篇；北京大學(xué)任鵬鵬連續(xù)3年（2013年-2015年）發(fā)3篇；北京大學(xué)黃芊芊連續(xù)3年（2014年-2016年）發(fā)3篇。