6月18日消息，據《韓國經濟日報》報道，三星將于今年推出高帶寬內存 (HBM) 的 3D 封裝服務，該報道援引了三星日前在美國圣何塞舉行的 2024 年三星代工論壇上的聲明以及“業(yè)內消息人士”的說法，三星 3D 封裝技術基本上將為2025 年底至 2026 年的HBM4集成鋪平道路。

對于 3D 封裝，三星此前就曾推出了一個名為 SAINT（三星先進互連技術）的平臺，其中包括三種不同的 3D 堆疊技術：用于 SRAM 的 SAINT-S、用于邏輯的 SAINT-L 和用于在CPU或GPU等邏輯芯片之上堆疊 DRAM 的 SAINT-D 。

其中，三星在2022年正式宣布推出 SAINT-D 之后，已經研發(fā)了數年，預計今年將正式商用，這將是全球最大內存制造商和領先代工廠的一個重要里程碑。

三星的新型 3D 封裝方法涉及將 HBM 芯片垂直堆疊在處理器頂部，這與現有的通過硅中介層水平連接 HBM 芯片和 GPU 的2.5D 技術不同。這種垂直堆疊方法消除了對硅中介層的需要，但需要使用復雜的工藝技術制造的用于 HBM 內存的新基片。

3D 封裝技術為 HBM 提供了顯著的優(yōu)勢，包括更快的數據傳輸、更清晰的信號、更低的功耗和更低的延遲，但封裝成本相對較高。三星計劃以交鑰匙服務的形式提供這種先進的 3D HBM 封裝，其內存業(yè)務部門生產 HBM 芯片，代工部門為無晶圓廠公司組裝實際的處理器。

目前尚不清楚的是，三星今年計劃用 SAINT-D 提供什么產品。將 HBM 放在邏輯芯片上需要適當的芯片設計，目前尚不清楚還有其他公司將 HBM 放在其他芯片頂部，并計劃于 2024 年至 2025 年上半年推出。

展望未來，三星的目標是到 2027 年推出一體化異構集成技術。這項技術將實現兩層邏輯芯片、HBM 內存（在中介層上）甚至共封裝光學器件 (CPO) 的集成。

編輯：芯智訊-林子