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          何時采用High NA EUV?臺積電張曉強這樣回應

          發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-09-04 來源:工程師 發(fā)布文章

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          近日,YouTube博主TechTechPotato發(fā)布與臺積電資深副總暨副共同營運長張曉強29分鐘的訪談。張曉強在訪談中回應了關于臺積電何時采用高數(shù)值孔徑極紫外光(High-NA EUV)光刻設備的問題。

          在去年年底,光刻機大廠ASML就宣布已向英特爾發(fā)運了全球首臺High NA EUV光刻機。隨后在今年的4月18日,英特爾公司宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地達成了先進半導體制造領域的一個重要里程碑,完成了業(yè)界首個商用High NA EUV光刻機的組裝。該設備將會首先被用于Intel 18A 的測試,最終會被用于2026年Intel 16A制程的量產(chǎn)。

          此前,臺積電業(yè)務開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強曾公開表示,雖然對High NA EUV能力印象深刻,但設備價格超過 3.5 億歐元(3.78 億美元)。目前的標準型EUV光刻機,仍可以支持臺積電尖端制程的生產(chǎn)到2026年,臺積電最新曝光的尖端制程A16也將會繼續(xù)采用標準型EUV光刻機來進行生產(chǎn)。

          不過,隨后有媒體報道稱,雖然臺積電預計在A16制程技術后的產(chǎn)品才考慮采用High NA EUV光刻機,但是魏哲家于今年5月密訪ASML總部的動作引發(fā)了大家的議論,認為臺積電有可能會修正其原定的計劃,提前采用High NA EUV光刻機。

          對此,張曉強在最新的采訪中回應稱,“相信臺積電研發(fā)團隊將繼續(xù)專注于新的EUV應用,這明顯包含High NA EUV設備,我們將選擇合適的技術節(jié)點來使用,畢竟需要考慮很多因素?!?/span>

          張曉強進一步指出,“這顯然存在可擴展性因素,還有制造成本因素,所以我相信我們的研發(fā)團隊會做出最好的決定,在哪個時間點、哪個制程節(jié)點選擇下一代EUV來應用?!?/p>

          編輯:芯智訊-林子


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          關鍵詞: 臺積電

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