12月18日，長飛先進武漢基地項目舉行首批設備搬入儀式，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產(chǎn)正式進入倒計時。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設備搬入時間大幅提前。

長飛先進總裁陳重國表示，首批設備的進駐，標志著武漢基地項目正式進入產(chǎn)能建設新階段，接下來還將面臨工藝驗證、產(chǎn)品通線等更多、更難的挑戰(zhàn)。目前，長飛先進武漢基地項目正加快推進建設并對設備進行安裝調(diào)試，預計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。

資料顯示，長飛先進與2023年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會簽署第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目，該項目聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。

當前SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。