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          海力士:2010年DRAM供不應(yīng)求

          作者: 時間:2009-12-25 來源:DigiTimes 收藏

            據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),韓國半導(dǎo)體大廠海力士()看好2010年市場表現(xiàn),將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/102043.htm

            海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑,此外,預(yù)期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM芯片將缺貨,半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底,前景相當穩(wěn)定。

            隨著景氣逐漸回升,海力士計劃2010年提升資本支出,共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平,及擴張目前的Flash芯片產(chǎn)能。此外,金鐘甲表示,2010年海力士在全球DRAM及Flash芯片市場市占率均可望些微提升,然不愿透露具體數(shù)字。



          關(guān)鍵詞: Hynix 存儲器 NAND

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