1 引 言

　　鐵電存儲器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲器，它結合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數據。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數低的缺點，其價格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多，已在地鐵系統(tǒng)、抄表系統(tǒng)及IT工業(yè)中得到了廣泛的應用。

　　TMS320VC5402(以下簡稱C5402)是美國德州儀器公司(TI)推出的一款性價比極高的16bit定點數字信號處理器(DSP)，操作速率可達100MIPS，它豐富的內部資源配置為用戶構造系統(tǒng)提供了很大便利，已經在通信、電子、圖象處理等領域得到了廣泛的應用。但是，C5402是RAM型器件，掉電后不能保持任何用戶信息，所以需要用戶把程序代碼放在不揮發(fā)的存儲器內，在系統(tǒng)上電時，通過執(zhí)行自行引導裝載(Bootloader)程序將存儲在外部媒介中的代碼裝載到C5402高速的片內存儲器或系統(tǒng)中的擴展存儲器內，裝載成功后自動去執(zhí)行代碼，完成自啟動?；趯嵺`經驗，本文介紹了一種并行接口鐵電存儲器FM18L08的特點，同時還分析了C5402 并行引導裝載模式的特點，給出了一種基于鐵電存儲器FM18L08和C5402接口的設計方案, 實現了基于并行引導裝載模式的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)設計，并且該設計方案已成功的應用到一種語音門鎖系統(tǒng)中。

　　2 FM18L08

　　FRAM的特點 Ramtron’s FRAM存儲器技術的核心是微小的鐵電晶體集成到記憶體單元，以至于它能象快速的不揮發(fā)RAM一樣操作。當一個電場被加到鐵電晶體，中心原子順著電場的方向移動。 移去電場，中心原子保持不動，保存記憶體的狀態(tài)， FRAM 記憶體不需要定期刷新，掉電后立即保存數據。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲容量為32kw8bits FRAM，其主要特點如下：3.0-3.65V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低，靜態(tài)電流小于15uA，讀寫電流小于10mA;非揮發(fā)性，掉電后數據能保存10年;讀寫無限次。 FM18L08引腳結構如圖1： /CE：片選 /WE：寫使能 /OE：輸出使能 A0-A14：地址端 DQ0-DQ7：數據端 VDD：電源 VSS：地