基于矩陣變換器IGBT的集中式過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)
摘要:分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現(xiàn)象進(jìn)行了討論,提出了一種新的集中式過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時(shí)被關(guān)斷,從而安全穩(wěn)定地運(yùn)行。試驗(yàn)結(jié)果表明:新的集中式過流保護(hù)電路具有經(jīng)濟(jì)、準(zhǔn)確、快速的特點(diǎn)。
關(guān)鍵詞:矩陣變換器;IGBT;集中式;過流保護(hù)電路
O 引言
近年來,矩陣變換器的優(yōu)越性能日益受到研究者們的重視,因而已成為電力變換器中的研究熱點(diǎn)。IGBT作為矩陣變換器的重要開關(guān)器件,是電力電子系統(tǒng)中最具應(yīng)用前景的功率半導(dǎo)體器件之一,其安全穩(wěn)定的工作決定著矩陣變換器的穩(wěn)定運(yùn)行。
IGBT的保護(hù)電路主要分為過壓保護(hù)、過流保護(hù)和過熱保護(hù)電路。本文主要討論IGBT的過流保護(hù)電路。通常情況下,根據(jù)IGBT手冊給出的相關(guān)保護(hù)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)就足以保證IGBT的可靠運(yùn)行。但是,在矩陣變換器中,由于整流級和逆變級的IGBT數(shù)量較多,而對逐個(gè)IGBT過流保護(hù)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)較為繁瑣,故可以采用集中式過流保護(hù)電路,以達(dá)到精簡和優(yōu)化電路的效果。
另外,由于IGBT能夠承受一定時(shí)間的短路電流,所承受短路電流的時(shí)間與短路電流的大小有關(guān),短路電流相比IGBT的額定電流越大,IG-BT能承受的時(shí)間也就越短。故在IGBT短路燒毀前,保護(hù)電路必須快速反應(yīng)并對其關(guān)斷,從而達(dá)到保護(hù)IGBT可靠工作的目的。
l 過流分析
IGBT的過流情況可以分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2~1.5倍)的過載電流;另一類是高倍數(shù)(高達(dá)8~10倍)的短路電流。
1.1 過載電流保護(hù)
原則上,IGBT在過流時(shí)的開關(guān)和通態(tài)特性與其在額定條件下運(yùn)行時(shí)的特性相比并沒有什么不同。但由于比較大的負(fù)載電流會引起IGBT內(nèi)較高的損耗,所以,為了避免超過最大允許節(jié)溫,IGBT的過載范圍往往會受到限制。這不僅是過載時(shí)節(jié)溫的絕對值,而且連過載時(shí)的溫度變化范圍都是限制因素。
1.2 短路電流保護(hù)
IGBT能承受短路電流的時(shí)間很短,且能承受短路電流的時(shí)間與該IGBT的導(dǎo)通飽和壓降有關(guān),它隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。存在以上關(guān)系的原因是由于隨著導(dǎo)通飽和壓降的降低,IGBT的阻抗也降低,短路電流同時(shí)增大,短路時(shí)的功耗隨著電流的平方增大,從而造成承受短路的時(shí)間迅速縮短。
原則上,IGBT都是安全短路器件。換句話說,它們在一定的外部條件下可以承受短路電流,然后被關(guān)斷,而器件不會發(fā)生損壞。
2 保護(hù)電路設(shè)計(jì)
本文所設(shè)計(jì)的集中式過流保護(hù)電路主要針對矩陣變換器的IGBT。本矩陣變換器的整流級和逆變級選取的IGBT型號分別是三菱公司的CT6-0AM20和富士公司的1MBH60D一090A。由于在整流級和逆變級IGBT承受的電壓和電流有差別,故要選擇相應(yīng)的IGBT來確保矩陣變換器正常穩(wěn)定的運(yùn)行。整流級的驅(qū)動芯片選擇的是落木源公司的TX―KA962。TX―KA962芯片相對于三菱公司的M57962芯片來說,其具有死區(qū)時(shí)間、軟關(guān)
斷速度、故障后再次啟動時(shí)間可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。
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