電子元器件最常用的封裝形式都有哪些

　　1、BGA(ballgridarray)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。

　　例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。

　　2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。

　　3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。

　　4、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。

　　5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

　　6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

　　7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)

　　8、COB(chiponboard板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃浴ｋm然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。

　　9、DFP(dualflatpackage)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

　　10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

　　11、DIL(dualin-line)DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

　　12、DIP(dualin-linepackage)。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和 slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見 cerdip)。

　　13、DSO(dualsmallout-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

　　14、DICP(dualtapecarrierpackage)雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī)械工業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。

　　15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名(見DTCP)。

　　16、FP(flatpackage)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

　　17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

　　18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

　　19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。

　　20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。

　　21、H-(withheatsink)表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

　　22、pingridarray(surfacemounttype)表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有 1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

　　23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

　　24、LCC(Leadlesschipcarrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。

　　是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。

　　25、LGA(landgridarray)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可。現(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)(1.27mm中心距)和447觸點(diǎn)(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對其需求會有所增加。

　　26、LOC(leadonchip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。

　　27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

　　28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳 (0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。

　　29、MCM(multi-chipmodule)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。

　　MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

　　MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。

　　MCM-D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。

　　布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。