據(jù)海外媒體報(bào)道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。

　　韓國半導(dǎo)體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀(jì)錄，主要受惠于存儲器價(jià)格快速上揚(yáng)，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續(xù)增長。因此，預(yù)估2017年幾乎是不費(fèi)吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導(dǎo)體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當(dāng)年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長階段。

　　據(jù)券商及半導(dǎo)體業(yè)預(yù)估，三星光是在2017年的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)利益，就可達(dá)179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。另外，估計(jì)SK海力士同期的營業(yè)利益也將超過59.7億美元(約7兆韓元)、甚至逼近68.2億美元(約8兆韓元)。這意謂著上述兩家公司的營業(yè)利益將較過去一年分別成長60%、100%，也同時創(chuàng)下各自的歷史新高紀(jì)錄。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專家預(yù)估，若再加上包括Dongbu Hitek及其他中小型無晶圓廠公司的營業(yè)利益，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的總營業(yè)利益將達(dá)到256億美元(約30兆韓元)。

　　之所以半導(dǎo)體營業(yè)利益取得大幅成長，主要原因還是在存儲器價(jià)格上揚(yáng)，自2016年中來至今仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，DDR3 4GB的價(jià)格在2016年底時為1.94美元，較2016年6月的1.25美元上漲了55.2%。NAND Flash存儲器的價(jià)格走勢也相差無幾，多層次存儲(Multi-Level Cell;MLC)NAND Flash 64GN存儲器價(jià)格在同期間由2.24美元漲至2.72美元，漲幅為21.4%。

　　據(jù)HMC Investment Securities Co.研究中心主管No Geun-chang表示，盡管個人電腦(PC)用DRAM價(jià)格可能在2017年第2季有所下滑，但仍將維持在較高點(diǎn)，主要因供給有限。

　　依據(jù)存儲器價(jià)格來預(yù)估，SK海力士的年度銷售及營業(yè)利益，將分別增至199億美元(約23.3兆韓元)及66.5億美元(約7.8兆韓元)。而三星的銷售及營業(yè)利益，則將分別增至546億美元(約64兆韓元)及184億美元(約21.5兆韓元)。

　　存儲器價(jià)格之所以走揚(yáng)主要仍是受限于供給不足，而非因?yàn)樾枨笤黾印４爽F(xiàn)象在DRAM存儲器尤其明顯。在這方面，三星在新投資及技術(shù)改革上的努力相當(dāng)有限;業(yè)界認(rèn)為三星之所以有所保留是因?yàn)樵贕alaxy Note 7事件后，希望能夠減少開支以保障公司的利潤率。

　　而另一個讓存儲器價(jià)格走揚(yáng)的原因是，縮小DRAM存儲器體積的技術(shù)正陷入瓶頸。因此，相關(guān)的投資隨著幾何級數(shù)而增加。在過去，可生產(chǎn)15萬片300mm晶圓的生產(chǎn)線投資額約在42.6億~51.1億美元(5兆~6兆韓元)之間。但近來相關(guān)成本已增至85.2億美元(10兆韓元)以上。

　　盡管近來在3D NAND Flash的投資有所增加，但業(yè)界專家相信雖然將增加新的廠房，然存儲器價(jià)格短期內(nèi)不會出現(xiàn)大跌，因?yàn)橛糜赑C及服務(wù)器的固態(tài)硬碟(SSD)需求仍相當(dāng)穩(wěn)定。