近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。據(jù)長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上介紹，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關(guān)鍵一步。

　　在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動下，存儲器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，開展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。

　　3D NAND是革新性的半導體存儲技術(shù)，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現(xiàn)存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術(shù)的發(fā)展空間，但其結(jié)構(gòu)的高度復雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關(guān)鍵技術(shù)難點，為實現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)的3D NAND陣列打下堅實基礎(chǔ)。

　　存儲器的可靠性是影響產(chǎn)品品質(zhì)的重要一環(huán)，主要評估特性包括耐久性、數(shù)據(jù)保持特性、耦合和擾動，國際上在3D NAND領(lǐng)域的公開研究結(jié)果十分有限。器件團隊通過大量的實驗和數(shù)據(jù)分析，尋找影響各種可靠性特性的關(guān)鍵因素，并和工藝團隊緊密協(xié)作，完成了器件各項可靠性指標的優(yōu)化，最終成功實現(xiàn)了全部可靠性參數(shù)達標。

　　在電路設(shè)計層面，堆疊三維陣列的集成研發(fā)面臨比平面型NAND更復雜的技術(shù)問題，需要結(jié)合三維器件及陣列結(jié)構(gòu)特點進行分析和優(yōu)化。設(shè)計團隊對三維存儲結(jié)構(gòu)進行建模，采用根據(jù)層數(shù)可調(diào)制的編程、讀取電壓配置，補償了器件特性隨陣列物理結(jié)構(gòu)的分布差異，降低了單元串擾影響。并且，應用了諸多創(chuàng)新性的先進設(shè)計技術(shù)，保證了芯片達到產(chǎn)品級的功能和性能指標。

　　3D NAND存儲器芯片研發(fā)系列工作得到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

　　圖1. 3D NAND陣列TEM照片

　　圖2. 芯片版圖布局(左)，擦除操作測試波形(右)