湖北，位于長江中游、洞庭湖以北，因為水網(wǎng)縱橫，湖泊密布而被稱為“千湖之省”。如此充沛的生產(chǎn)資源對于每天都需要消耗大量水、電的集成電路產(chǎn)業(yè)而言無疑是一個巨大的優(yōu)勢。

　　事實上，憑借著天然的地理位置優(yōu)勢，加上政府的大力扶持，湖北近幾年來在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得了不俗的成績。

　　集成電路產(chǎn)業(yè)鏈雛形形成

　　自2000年確定發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)以來，經(jīng)過十多年的發(fā)展和布局，目前湖北省已經(jīng)形成了涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、終端應(yīng)用等較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

　　據(jù)湖北省經(jīng)信委主任歐陽萬坤此前介紹，截止2016年7月底，湖北省擁有芯片設(shè)計、芯片制造企業(yè)60余家，集成電路專業(yè)從業(yè)人員5000余人。

　　在設(shè)計領(lǐng)域，湖北不僅培育了烽火科技微電子部、昊昱微電子、中船微電子、九同方微電子、芯動科技、長芯盛科技、高德紅外、武漢夢芯等一批具有較強(qiáng)競爭力的本土企業(yè)，而且也吸引了新思科技、凹凸電子以及聯(lián)發(fā)科等一批國際一流的IC設(shè)計企業(yè)加入。

　　在制造領(lǐng)域，湖北不僅有我國銷量最大的大功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商臺基股份，還有華中首條12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線武漢新芯(現(xiàn)為“長江存儲”旗下全資子公司)。

　　總投資240億美元的國家存儲器基地項目落地更是讓全球半導(dǎo)體業(yè)界的目光投向湖北武漢。

　　作為全產(chǎn)業(yè)鏈中的最后環(huán)節(jié)，封測在集成電路產(chǎn)業(yè)中的地位變得越來越重要。目前湖北擁有方晶電子和芯茂半導(dǎo)體等多家封測企業(yè)。

　　其中方晶電子已于2016年確定將分兩期新建10條SOT-23微型集成電路封裝生產(chǎn)線。

　　在材料方面，晶豐電子的封裝膠產(chǎn)品打破了國外壟斷，正在切入到代工廠的供應(yīng)體系;同時，湖北興福電子也開創(chuàng)了國產(chǎn)化電子級磷酸用在8英寸及以上集成電路的先河，并且與格羅方德、中芯國際等大廠都建立了合作伙伴關(guān)系。

　　此外，自2007年富士康落戶以來，湖北還吸引了一大批科技巨頭先后在漢設(shè)立研發(fā)中心或生產(chǎn)基地，如IBM、華為、中興、聯(lián)想、小米等。極大地提升了湖北對智能手機(jī)、平板電腦等智能終端產(chǎn)品的供給能力。

　　為進(jìn)一步促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2015年，總投資不低于300億元的湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立，發(fā)展重點以晶圓制造業(yè)為主，同時兼顧設(shè)計和封測等上下游產(chǎn)業(yè)鏈。

　　長江存儲“攪動”存儲器產(chǎn)業(yè)

　　近日，展訊通信市場副總裁王成偉表示，中國半導(dǎo)體企業(yè)要想說了算還得20年。不過，對于存儲器領(lǐng)域而言，因為3D堆疊技術(shù)的出現(xiàn)使得中國有機(jī)會縮短追趕國際大廠的時間。

　　存儲器是集成電路的三大品類之一，在智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的帶動下，存儲器銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%。目前，全球存儲器品類以NAND Flash和DRAM為主。

　　受摩爾定律的影響，各大NAND Flash原廠正逐漸將產(chǎn)能從2D轉(zhuǎn)向3D，但由于產(chǎn)品良率等因素，制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度稍顯緩慢。

　　除SK海力士已推出72層3D NAND產(chǎn)品外，三星與東芝/西數(shù)陣營都在向64層產(chǎn)品邁進(jìn)。

　　作為國家集成電路的產(chǎn)業(yè)基地城市之一，武漢集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點就是存儲器。其中最具代表性的公司非長江存儲莫屬。

　　長江存儲的前身是武漢新芯，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家大基金、湖北省政府投資基金在武漢共同成立，總投資金額達(dá)240億美元，一期工程就直接瞄準(zhǔn)32層3D NAND Flash。

　　根據(jù)規(guī)劃，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將今年底推出，然后繼續(xù)進(jìn)入64層產(chǎn)品研發(fā)階段。這將為中國廠商在全球存儲器市場中贏得一定話語權(quán)。

　　作為國家級的存儲器產(chǎn)業(yè)基地，量產(chǎn)3D NAND Flash只是長江存儲“攪動”全球存儲器市場的第一步，未來還將啟動DRAM內(nèi)存和晶圓代工建設(shè)。

　　此前有媒體報道，長江存儲已經(jīng)組建了500人的研發(fā)團(tuán)隊開發(fā)20/18納米DARM技術(shù)。

　　如果消息屬實，也就意味著中國的DRAM內(nèi)存也將在不久之后趕上國際大廠水平。

　　畢竟在20/18納米階段，目前只有三星的研發(fā)較為迅速，于今年第一季度率先推出18納米制程相關(guān)產(chǎn)品，而美光和SK海力士則要到今年才能完成20納米制程轉(zhuǎn)換。

　　長江存儲的目標(biāo)是到2020年實現(xiàn)30萬片月產(chǎn)能的規(guī)模，技術(shù)上達(dá)到國際領(lǐng)先存儲器大廠的先進(jìn)水平，到2030年，實現(xiàn)月產(chǎn)能100萬片的生產(chǎn)規(guī)模。

　　目前，長江存儲已經(jīng)與福建晉華以及合肥長鑫成為了驅(qū)動中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三駕馬車，未來也有望成為“攪動”全球存儲器產(chǎn)業(yè)的一支勁旅。