滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
世紀金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用,形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系,正在大力進行垂直整合,全面推進從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201903/398343.htm主要應(yīng)用
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SiC MOSFET系列
產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V,額定電流30-92A,可滿足多種應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特點:產(chǎn)品為N溝道平面柵工藝平臺,采用優(yōu)化的柵氧化技術(shù)及表面電場控制技術(shù),在保證較高的柵極可靠性的前提下,最大限度提升了表面溝道遷移率,有效降低溝道、JFET區(qū)電阻,同時降低了柵極電容。同時降低了器件的靜態(tài)及動態(tài)損耗。
產(chǎn)品優(yōu)勢:產(chǎn)品為采用第三代半導(dǎo)體SiC材料研制的場控器件,基于材料本身的擊穿場強的優(yōu)勢,產(chǎn)品具有擊穿電壓高,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小等特點,同時具有較高的可靠性及較簡單的驅(qū)動方式。在各類高壓電源、電力裝置里作為核心開關(guān)功率器件,可有效提升系統(tǒng)效率,減小系統(tǒng)體積,降低系統(tǒng)復(fù)雜度。
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