埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認證并投入生產的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發(fā)產品。

這些器件提供了低偏置下的寬帶高線性度特性，從而提高了寬帶線性度水平（在5dB時三階互調低于-32dBc；在2:1帶寬上從飽和功率回退8dB時則低于-42dBc）。寬帶線性對于當今國防電子設備中所部署的頻率捷變無線電至關重要，后者用于處理多模通信波形（從FM信號一直到高階QAM信號）并同時應用對抗信道的情況。這些要求苛刻的應用需要晶體管本身具有更好的寬帶線性度。根據市場反饋，埃賦隆半導體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管可滿足這些擴展的寬帶線性度要求。

此外，這兩款第3代晶體管還采用了增強散熱封裝以實現可靠運行，并為30W器件提供高達15:1的極耐用的VSWR耐受能力。該耐用性還可擴展到A類放大器工作模式。這在具有飽和柵極條件下，同時要在擴展頻率范圍內在寬動態(tài)范圍內保持線性度的儀器應用中很常見。埃賦隆半導體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管為寬帶應用的高線性GaN技術設立了新標準，同時保持了出色的散熱性能和耐用性。