國(guó)產(chǎn)芯片領(lǐng)域中，存儲(chǔ)芯片的表現(xiàn)和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前有消息稱(chēng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)已經(jīng)完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)，并在今年年底前會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。

而目前有消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。

這意味著，如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)232層閃存芯片，我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

而目前三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)越過(guò)192層，直接生產(chǎn)232層，將到達(dá)一線(xiàn)水平。