韓國貿易部周三表示，即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規(guī)則實施之后，但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設施——盡管幅度很小。

美國商務部周二宣布，將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內的“相關國家”投資擴大半導體制造。   

但該限制并非完全禁止在中國投資，因為該部門允許接受公司將先進芯片的產能擴大 5%，將采用相對較舊制造工藝生產的芯片產能擴大 10%。   

貿易、工業(yè)和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節(jié)和去年通過的科學法案后，在周三發(fā)布的一份聲明中表示：“在升級技術時，芯片制造商可以通過提高密度來增加每片晶圓的芯片數(shù)量，這轉化為產能擴張?！?/p>

隨著三星電子在中國西安的制造園區(qū)擴產，該地負責供應三星約 40% 的 NAND 閃存產品。   

位于中國無錫的 SK 海力士工廠生產 96 層和 144 層 NAND 閃存以及約 40% 的 DRAM。 

這兩家芯片制造商表示，他們正在徹底審查擬議規(guī)則的細節(jié)。 

三星電子在一份聲明中表示：“我們一直在與美國和韓國的相關政府機構進行密切討論，并計劃在審查今天公告的細節(jié)后確定我們的下一步行動?！?nbsp;  半導體行業(yè)的一位消息人士表示，這一決定幫助韓國芯片制造商避免了最壞的情況。 

消息人士稱：“此前有人擔心兩家公司可能被迫關閉在中國的芯片工廠，因為最初的媒體報道稱美國將對芯片工廠在中國的擴張實施 10 年禁令?！?nbsp;  

盡管如此，由于美國對《芯片和科學法案》施加了諸多限制，這些公司仍面臨著保持設施運行和使其與最新技術保持一致的困難。   

去年 10 月，商務部要求企業(yè)向其在中國的工廠提供制造額定 18 納米或更小的 DRAM 內存芯片和 128 層或更多層的 NAND 閃存芯片的技術，并獲得美國政府的批準。 

三星電子和 SK 海力士獲得了 10 月規(guī)則的一年豁免。   

與此同時，韓國立法委員會同意提出一項旨在增加韓國半導體制造設施稅收優(yōu)惠的法案。立法者將在定于 3 月 30 日舉行的全體會議上投票。   

該修正案將給予大公司高達 15% 的半導體制造投資稅收抵免，高于之前的 8%。對于中小企業(yè)，這一比例將從目前的 16% 上調至 25%。