三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠
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三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202310/451706.htm報道中稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。
此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。
據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
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