CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。

產(chǎn)品型號(hào)：

?? IMYH200R012M1H

?? IMYH200R024M1H

?? IMYH200R050M1H

?? IMYH200R075M1H

?? IMYH200R0100M1H

產(chǎn)品特點(diǎn)

■ V_DSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)

■ 開(kāi)關(guān)損耗極低

■ 創(chuàng)新的HCC封裝

■ 針腳間爬電距離為14毫米

■ 5.4毫米電氣間隙

■ 柵極閾值電壓，V_GS(th)=4.5V

■ 用于硬換流的堅(jiān)固體二極管

■ .XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能

■ 高耐濕性

應(yīng)用價(jià)值

■ 市場(chǎng)上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達(dá)2000V

■ 1500V的DC的變流器可以用兩電平實(shí)現(xiàn)

■ 與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過(guò)壓裕量

■ 創(chuàng)新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

應(yīng)用領(lǐng)域

■ 光伏逆變器

■ 儲(chǔ)能系統(tǒng)

■ 電動(dòng)汽車充電