三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。

目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。

最新消息是，KAIST的研究人員探索了一種新的解決方案——利用鉿鐵電體的鐵電特性來開發(fā)更小、更高效的電容器和存儲設(shè)備，有助于三星實現(xiàn)千層NAND技術(shù)，使PB級固態(tài)硬盤（SSD）目標(biāo)不遠(yuǎn)。

盡管三星并沒有直接參與研發(fā)，但市場消息稱與其有直接關(guān)系，雖然還不能確定Hafnia Ferroelectrics是否會導(dǎo)致PB級存儲器設(shè)備誕生，但可能發(fā)揮主導(dǎo)作用，最終達(dá)到里程碑。