全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，為應(yīng)對(duì)這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開工率，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。后續(xù)預(yù)計(jì)還會(huì)有其他大廠跟進(jìn)，消息人士透露鎧俠預(yù)計(jì)也會(huì)減產(chǎn)。

· 美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光發(fā)布的最新財(cái)報(bào)顯示，其2025財(cái)年第一季度（截至2024年11月）總營(yíng)收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場(chǎng)預(yù)期。但從細(xì)分業(yè)務(wù)來看，美光的DRAM和NAND業(yè)務(wù)在環(huán)比層面卻有明顯分化，其中DRAM業(yè)務(wù)環(huán)比增長(zhǎng)20%，而NAND業(yè)務(wù)卻下滑了5%，主要原因是受到了手機(jī)、汽車及工業(yè)等市場(chǎng)需求持續(xù)走低的影響。

預(yù)計(jì)2025財(cái)年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降，并且影響下一季度業(yè)績(jī)，美光高管確認(rèn)在閃存市場(chǎng)需求放緩的背景下將其NAND晶圓啟動(dòng)率較此前水平下調(diào)10%并減慢制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移。美光執(zhí)行副總裁首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy表示：“在NAND業(yè)務(wù)方面，我們正在采取迅速而果斷的行動(dòng)來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量?！?/span>

· 三星決定在西安的NAND閃存工廠削減產(chǎn)量，平均月產(chǎn)量將從20萬片晶圓降至17萬片，減產(chǎn)幅度超過10%。這一舉措被視為三星維護(hù)盈利能力和促進(jìn)市場(chǎng)價(jià)格穩(wěn)定的戰(zhàn)略部署。與此同時(shí)，三星在韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將進(jìn)行產(chǎn)量調(diào)整，以進(jìn)一步縮減整體產(chǎn)能規(guī)模。

回顧2023年初，三星在面對(duì)嚴(yán)峻市場(chǎng)環(huán)境時(shí)，已經(jīng)采取過減產(chǎn)措施。西安第一工廠的12英寸晶圓月產(chǎn)量從2022年第四季度的12.5萬塊削減至次年第一季度的11萬塊，減幅約12%；西安第二工廠的產(chǎn)量也從每月14.5萬塊調(diào)整至13.5萬塊，減幅約7%。三星此次再次減產(chǎn)，展現(xiàn)了其在全球NAND閃存市場(chǎng)波動(dòng)中的審慎態(tài)度和策略調(diào)整。

· SK海力士是全球第二大NAND閃存廠商，銷售額僅次于三星，目前的NAND閃存產(chǎn)能為每月30萬片晶圓，計(jì)劃在今年上半年削減10%（30000片晶圓）的產(chǎn)量。

· 鎧俠原定于2024年10月在東京證券交易所上市，但此次IPO再次被推遲。盡管該公司在過去兩個(gè)季度開始盈利，但NAND市場(chǎng)仍然不穩(wěn)定。由于擔(dān)心庫存上升，以及為應(yīng)對(duì)生成性AI浪潮而于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設(shè)備，鎧俠計(jì)劃在第四季度（市場(chǎng)需求的過渡期）減少產(chǎn)量，以避免產(chǎn)能過剩問題。

在此前的上升周期時(shí)，NAND廠商為了滿足市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，但此次的上升周期過于短暫，導(dǎo)致產(chǎn)能過剩問題凸顯。三星、SK海力士等主要廠商的部分NAND產(chǎn)能處于閑置或低利用率狀態(tài)。

據(jù)TrendForce半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，通用NAND固定價(jià)格自2023年10月起連續(xù)五個(gè)月上漲后，在2024年3月增速減緩，維持平穩(wěn)狀態(tài)，而后從9月開始轉(zhuǎn)為下跌趨勢(shì)；2024年9月至11月，NAND價(jià)格環(huán)比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，顯示面向存儲(chǔ)卡和USB設(shè)備的通用型NAND閃存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定價(jià)格在去年8月時(shí)為4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已經(jīng)超過50%，是繼2015年8月統(tǒng)計(jì)以來的最低價(jià)格。

NAND市場(chǎng)仍處于下行周期

2025年第一季度NAND市場(chǎng)將面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降，平均合約價(jià)預(yù)計(jì)環(huán)比將再下降10%-15%。獲利能力進(jìn)一步減弱，因此今年或許會(huì)有部分產(chǎn)品線從NAND轉(zhuǎn)向DRAM，消費(fèi)端NAND價(jià)格一直到2025年下半年才可能反彈回升。

NAND制造商面臨的最緊迫問題是庫存控制。由于該行業(yè)預(yù)期制造商將降價(jià)，庫存成本上升可能會(huì)破壞定價(jià)策略并產(chǎn)生過剩供應(yīng)壓力。系統(tǒng)運(yùn)營(yíng)商和主要云服務(wù)商（CSP）預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)下降，導(dǎo)致對(duì)短期訂單持謹(jǐn)慎態(tài)度，這可能會(huì)形成惡性循環(huán)，這對(duì)NAND制造商來說是不利的。

面對(duì)NAND市場(chǎng)持續(xù)走低的態(tài)勢(shì)，不僅美光，三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商也都采取了減產(chǎn)措施，以阻止NAND價(jià)格的下跌趨勢(shì)，NAND市場(chǎng)的“寒冬”仍在無限期拉長(zhǎng)。但如果這些減產(chǎn)措施激發(fā)整個(gè)行業(yè)采取類似行動(dòng)，NAND價(jià)格可能會(huì)回升。此前實(shí)施的減產(chǎn)措施，帶動(dòng)了整個(gè)供應(yīng)鏈主動(dòng)下單、價(jià)格上漲，使得上游企業(yè)認(rèn)為限制產(chǎn)能可以平衡市場(chǎng)供需，從而鼓勵(lì)下游客戶提前備貨。

中國(guó)臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)在報(bào)道指出，目前全球主要內(nèi)存制造商的庫存周轉(zhuǎn)期已恢復(fù)到10-12周的正常范圍。業(yè)界預(yù)計(jì)，如果削減產(chǎn)能無法增加出貨量，可能會(huì)實(shí)施更嚴(yán)厲的措施來減少整體供應(yīng)量。

企業(yè)大規(guī)模減產(chǎn)其實(shí)難度很大：一方面，生產(chǎn)線的關(guān)停與重啟并非易事，涉及到高昂的成本、復(fù)雜的設(shè)備維護(hù)以及技術(shù)人員的調(diào)配。一旦減產(chǎn)過度，后續(xù)若市場(chǎng)回暖，產(chǎn)能恢復(fù)的時(shí)間差可能導(dǎo)致錯(cuò)失商機(jī)；另一方面，減產(chǎn)決策的協(xié)同性較差，各廠商出于自身利益考量，難以達(dá)成完全一致的減產(chǎn)步調(diào)，有可能導(dǎo)致市場(chǎng)上的供應(yīng)波動(dòng)頻繁，價(jià)格體系混亂。

根據(jù)報(bào)道稱，三星正在考慮將其P4 NAND生產(chǎn)線的一部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為DRAM。三星設(shè)備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場(chǎng)需求；SK海力士也有消息稱，可能將清州M14、M15X和M16工廠的部分NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)用于生產(chǎn)HBM；鎧俠方面消息顯示，由于擔(dān)心未來庫存上升，選擇減少第四季度NAND產(chǎn)量，但同時(shí)為應(yīng)對(duì)生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設(shè)備，并準(zhǔn)備投產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品。

PC、移動(dòng)及消費(fèi)產(chǎn)業(yè)出貨量維持低迷，相比之下，隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，面向AI數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定。這在一定程度上能夠緩解今年第一季度市場(chǎng)所面臨的供應(yīng)過剩壓力，AI驅(qū)動(dòng)的大容量SSD需求成為了市場(chǎng)復(fù)蘇的關(guān)鍵。目前，NAND閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在慢慢升溫，加緊提升NAND產(chǎn)品的性能和容量。

NAND閃存市場(chǎng)新競(jìng)爭(zhēng)

其實(shí)，自NAND閃存進(jìn)入3D時(shí)代以來，芯片層數(shù)一直是各大NAND閃存芯片廠商競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)，堆棧層數(shù)越來越高。今年以來，隨著存儲(chǔ)原廠NAND制程相繼迭代，200層以上NAND的供應(yīng)增加，高密度NAND在市場(chǎng)應(yīng)用中逐步取得進(jìn)展：

· 三星236層V8 TLC NAND產(chǎn)能放量增長(zhǎng)，同時(shí)290層V9 TLC/QLC NAND開始量產(chǎn)；

· SK海力士擴(kuò)大238層NAND在企業(yè)級(jí)SSD的應(yīng)用，并推出321層NAND Flash；

· 鎧俠及西部數(shù)據(jù)推動(dòng)218層BiSC8 NAND加速在OEM廠商的導(dǎo)入，采用BiSC8和CMOS鍵合技術(shù)生產(chǎn)的2Tb QLC NAND已開始送樣；

· 美光量產(chǎn)276層G9 TLC NAND，并已在面向客戶端OEM的SSD中采用。

三星宣布其半導(dǎo)體研究所成功完成突破性的400層NAND技術(shù)開發(fā)，且于11月將這項(xiàng)技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤P1廠的量產(chǎn)線上，預(yù)計(jì)將于明年下半年開始量產(chǎn)。另外，三星計(jì)劃采用新型鍵合技術(shù)，在不同的晶圓上分別創(chuàng)建單元和外圍設(shè)備，然后進(jìn)行鍵合；這種方法將實(shí)現(xiàn)具有大存儲(chǔ)容量和出色散熱性能的“超高”NAND堆棧，非常適合用于AI數(shù)據(jù)中心的超高容量SSD。這款芯片被稱為「Bonding Vertical NAND Flash，簡(jiǎn)稱BV NAND」，其單位面積的位密度將提高1.6倍，三星的目標(biāo)是到2030年開發(fā)超過1000層的NAND芯片。

需要注意的是，1000層NAND可沒有那么好做。從理論上講，堆疊1000層以上的NAND是可行的，但需要解決堆棧過程中的沉積和蝕刻問題。具體來看，在2D NAND的發(fā)展進(jìn)程中，光刻技術(shù)是推動(dòng)其發(fā)展的關(guān)鍵工藝，3D NAND則完全不同，存儲(chǔ)單元以垂直堆疊的方式實(shí)現(xiàn)容量的增長(zhǎng)。

除此之外，3D NAND工藝流程中最困難的部分當(dāng)屬高縱深比要求的蝕刻工藝。在3D NAND結(jié)構(gòu)中，必須通過蝕刻工藝從器件的頂層到底層蝕刻出微小的圓形孔道，將存儲(chǔ)單元能夠垂直聯(lián)通起來。這也意味著倘若未來堆疊的層數(shù)超過1000層，芯片廠商或?qū)⑿枰媾R越來越復(fù)雜、昂貴的工藝。存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需要找到新的解決方法不斷滿足人們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的存儲(chǔ)需求，當(dāng)然，這也可能是一種全新的存儲(chǔ)介質(zhì)，各大原廠同樣深知這一點(diǎn)，目前也在積極投入研發(fā)當(dāng)中，例如：FeRAM、MRAM、PCM、RRAM等。然而，哪種器件能夠突出重圍，成為下一代非易失性存儲(chǔ)器件，還需時(shí)間給出答案。

隨著AI時(shí)代的到來和對(duì)存儲(chǔ)需求的不斷增長(zhǎng)，SSD在數(shù)據(jù)傳輸速度、耐用性和存儲(chǔ)容量方面都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。然而，QLC SSD以其高存儲(chǔ)密度和優(yōu)化服務(wù)器空間的能力，以及降低能耗和總體擁有成本的優(yōu)勢(shì)，有望在市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。行業(yè)專家預(yù)測(cè)，隨著視頻和圖像數(shù)據(jù)量的持續(xù)增長(zhǎng)，TLC/QLC SSD將成為AI推理應(yīng)用的主要選擇。

市場(chǎng)研究公司Omdia最新報(bào)告顯示，今年QLC NAND的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將比去年增長(zhǎng)85%，其在整個(gè)NAND閃存市場(chǎng)的份額將從去年的12.9%增長(zhǎng)到今年的20.7%，增長(zhǎng)近8個(gè)百分點(diǎn)。到2027年，QLC NAND將占整個(gè)NAND市場(chǎng)的46.4%，在短短三年內(nèi)份額有望增長(zhǎng)超過一倍，接近目前以51%的份額占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位的TLC產(chǎn)品。

QLC技術(shù)允許每個(gè)單元存儲(chǔ)4個(gè)比特（bit），而TLC為3個(gè)比特，MLC和SLC分別為2個(gè)和1個(gè)比特。這意味著與其他NAND類型相比，QLC NAND可大幅提高存儲(chǔ)容量。因此，QLC NAND的特性非常符合大型科技公司的需求，與傳統(tǒng)機(jī)械硬盤（HDD）相比，QLC NAND有著讀取速度更快、單位面積存儲(chǔ)密度更高以及功耗更低的優(yōu)勢(shì)。盡管長(zhǎng)期以來QLC NAND有著壽命較短、寫入速度較慢的劣勢(shì)，但數(shù)據(jù)中心逐漸轉(zhuǎn)向讀取密集型工作負(fù)載之后，這些缺點(diǎn)已被抵消。

NAND制造商也在迅速應(yīng)對(duì)QLC NAND需求的激增。業(yè)界樂觀地認(rèn)為，“NAND的春天”可能會(huì)比預(yù)期來得更猛烈。與去年基于人工智能需求的HBM增長(zhǎng)一樣，NAND市場(chǎng)也可能經(jīng)歷類似的長(zhǎng)期市場(chǎng)形態(tài)。

目前，SSD、HDD之間的價(jià)格差距也在迅速縮小，單位容量?jī)r(jià)格差距從2015年的20倍減少至當(dāng)前的約10倍。業(yè)界預(yù)計(jì)，SK海力士旗下的NAND子公司Solidigm預(yù)計(jì)將大大受益，截至2023年年底，Solidigm總產(chǎn)量的60%是QLC NAND，雖然美光的市場(chǎng)份額達(dá)40.1%，高于Solidigm的21.1%，但美光的產(chǎn)品主要集中在消費(fèi)領(lǐng)域。用于AI服務(wù)器的高附加值QLC NAND供應(yīng)很可能由Solidigm和三星主導(dǎo)，三星計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)第九代280層QLC NAND，而SK海力士通過Solidigm推出了容量達(dá)60TB的QLC固態(tài)硬盤產(chǎn)品，并在2025年準(zhǔn)備300TB產(chǎn)品，以最大程度滿足AI導(dǎo)向的需求。

NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)度并沒有減緩，各大廠商投入大量資金進(jìn)行研發(fā)和設(shè)備升級(jí)，以提高存儲(chǔ)密度、性能和降低成本。然而，市場(chǎng)低迷使得產(chǎn)品價(jià)格下降，廠商的利潤(rùn)空間受到壓縮，進(jìn)一步加大了成本壓力，再加上NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等廠商為了爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額，紛紛采取降價(jià)等策略，導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格下降，市場(chǎng)整體利潤(rùn)水平降低。就目前的種種跡象來看，NAND存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)并未真正“復(fù)蘇”，行業(yè)仍然需要大量時(shí)間“去庫存”，而迎來真正復(fù)蘇或許還需要更多的時(shí)間。