由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。

　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受到淡季影響，但2015年就算是旺季，預(yù)估價(jià)格上漲幅度也不會(huì)太大，由于廠商提升技術(shù)力及產(chǎn)量，預(yù)期將持續(xù)陷入供過于求困境。

　　更多NAND Flash價(jià)格系自2014年4月起維持持平或微幅上升曲線，然10月開始走下坡直到現(xiàn)在，剛好與三星在2014年10月宣布量產(chǎn)全球首款TLC 3D V-NAND時(shí)機(jī)相近，三星在12月完成華城半導(dǎo)體廠3位元V-NAND量產(chǎn)體系，2015年起固態(tài)硬碟(SSD)所有產(chǎn)品線將全部采用TLC技術(shù)生產(chǎn)。

　　另外，SK海力士(SK Hynix)亦正在開發(fā)TLC SSD，東芝(Toshiba)整體NAND Flash中約有35%采取TLC技術(shù)，美光(Micron)也從2014年底投入TLC技術(shù)量產(chǎn)，讓TLC NAND Flash轉(zhuǎn)換競爭日趨白熱化。存儲(chǔ)器業(yè)者表示，SLC(Single-Level Cell)NAND Flash市場可視為已經(jīng)消失，MLC NAND Flash價(jià)格戰(zhàn)正打得火熱，如果三星等業(yè)者提高TLC產(chǎn)品生產(chǎn)比重，MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況將更為明顯。

　　盡管相較于SLC，MLC及TLC NAND Flash能增加單位面積內(nèi)資料儲(chǔ)存量，但亦導(dǎo)致存儲(chǔ)器儲(chǔ)存壽命縮短，讓資料分散式軟體系統(tǒng)更顯重要，業(yè)界認(rèn)為TLC NAND Flash雖然在技術(shù)上未臻完美，但成為市場主流已是時(shí)勢所趨，不具備相關(guān)技術(shù)的NAND Flash制造廠，恐將在市場競爭中遭到淘汰。

　　360°：TLC SSD

　　市場預(yù)期低成本SSD解決方案TLC SSD，在2015年將會(huì)取下全球40%以上的占有率，三星電子(Samsung Electronics)搶頭香推出TLC SSD后，慧榮、群聯(lián)等控制晶片業(yè)者也加入戰(zhàn)場，有助于此市場的滲透率提前攀升。

　　隨著快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)年度盛事，快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)熱鬧登場，各業(yè)者積極宣示新產(chǎn)品誕生，慧榮也推出秘密武器SATA 6Gb/s SSD控制晶片SM2256，是全球第一款搭載韌體，并支援全系列TLC NAND Flash控制晶片，支援快閃存儲(chǔ)器制程技術(shù)包括1x/1y/1z納米，以及未來新一代的3D TLC NAND產(chǎn)品。

　　慧榮M2256控制晶片搭載獨(dú)有NANDXtend解錯(cuò)修正技術(shù)，在多層解錯(cuò)修正機(jī)制運(yùn)作下，提升資料讀寫保護(hù)能力，也提升高達(dá)3倍的TLC NAND寫入和抺除的次數(shù)(P/E Cycle)，目前已經(jīng)進(jìn)入送樣測試的階段，預(yù)計(jì)2014年第3季可進(jìn)入量產(chǎn)。