三星電子(Samsung Electromics)和SK海力士(SK Hynix) 2016年的投資計(jì)劃不明朗，全球景氣停滯、匯率動(dòng)向難以掌握、智能型手機(jī)成長(zhǎng)趨緩等對(duì)外環(huán)境惡劣為主因，韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)界的不安持續(xù)擴(kuò)大。

　　同時(shí)，新設(shè)備需要依據(jù)尖端制程制造，因技術(shù)難度高、開(kāi)發(fā)時(shí)間較長(zhǎng)，使三星和SK海力士難以確定投資時(shí)程。據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星和SK海力士在公布第3季財(cái)報(bào)時(shí)，未明確提及2016年度的投資計(jì)劃。第4季投入擬定2016年的事業(yè)計(jì)劃，設(shè)備投資動(dòng)態(tài)不透明，讓韓國(guó)設(shè)備業(yè)者焦躁不安。

　　三星和SK海力士推測(cè)2016年存儲(chǔ)器芯片需求將和2015年水準(zhǔn)相近。20納米DRAM制程轉(zhuǎn)換和3D NAND Flash的堆疊技術(shù)，將使企業(yè)間成本競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生差距，影響市占率和業(yè)績(jī)。

　　三星第3季累計(jì)投資19.2兆韓元(約169億美元)，年度設(shè)備投資計(jì)劃已執(zhí)行72%。市場(chǎng)上3D NAND和DRAM供不應(yīng)求，將進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，但2016年可能會(huì)維持目前設(shè)備水準(zhǔn)。

　　三星存儲(chǔ)器行銷組專務(wù)白志鎬(音譯)表示，目前NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備和17產(chǎn)線20納米DRAM均為全稼動(dòng)狀態(tài)，若維持目前設(shè)備全稼動(dòng)水準(zhǔn)，2016年不只可達(dá)成位元成長(zhǎng)目標(biāo)，甚至可望超越。惟目前不考慮追加設(shè)備，將依照市況決定。

　　SK海力士M14廠1樓將使用的設(shè)備已大部分搬入，暫時(shí)沒(méi)有大規(guī)模DRAM設(shè)備投資計(jì)劃。年底前將完成驗(yàn)證M14廠20納米級(jí)DRAM的生產(chǎn)效益，預(yù)計(jì)2016年起量產(chǎn)的第三代48層堆疊3D NAND，將左右未來(lái)設(shè)備投資計(jì)劃。

　　SK海力士經(jīng)營(yíng)支援部社長(zhǎng)金俊鎬表示，初期將把現(xiàn)有NAND設(shè)備轉(zhuǎn)換為3D NAND用，并迅速確保產(chǎn)量。市場(chǎng)上48層3D NAND需求提升，若判斷有必要擴(kuò)產(chǎn)，將會(huì)考慮把M14 2樓架構(gòu)為3D NAND產(chǎn)線的方案。

　　3D NAND成為2016年設(shè)備投資的重心，但整體投資規(guī)模將不會(huì)超過(guò)2015年。2015年DRAM維持每月27萬(wàn)片，2016年估計(jì)每月提高到27萬(wàn)~28萬(wàn)片水準(zhǔn)，但會(huì)擴(kuò)大DDR4和LPDDR4比重，并轉(zhuǎn)換20納米出頭制程。

　　SK海力士截至第3季，設(shè)備投資累計(jì)已執(zhí)行5.3兆韓元，年底前將依照原計(jì)劃，完成6兆韓元以上投資。