首頁(yè) > 新聞中心 > 元件/連接器 > 電路保護(hù)
了解如何計(jì)算老化過程的活化能，以及關(guān)于Arrhenius方程在預(yù)測(cè)晶體老化過程時(shí)的有用性的一些相互矛盾的觀點(diǎn)。在之前的一篇文章中，我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù)，它使制造商能夠使用相對(duì)較短的測(cè)試時(shí)間來(lái)確定電子......
了解由于使用石英晶體的溫度和時(shí)間，以及應(yīng)用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，電子元件的老化和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。即使有固定的輸入，電子電路也不是完全穩(wěn)定的；經(jīng)常隨時(shí)間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會(huì)給精確測(cè)量增加相當(dāng)......
了解電子電路（即電阻器和放大器）中的溫度漂移。我們還將介紹閃爍噪聲的影響如何發(fā)揮作用，以及漂移如何限制信號(hào)平均的有效性。即使在固定的電氣條件下（電源電壓、輸入和負(fù)載），電子電路也不是完全穩(wěn)定的，因?yàn)樗鼈兺鶗?huì)隨著時(shí)間和溫......
JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)......
今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬(wàn)用表來(lái)判斷JFET極性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè)：要么在柵極和源極之間測(cè)量，要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶......
在這篇文章中，我們探討了在電感器的磁芯中引入氣隙的優(yōu)點(diǎn)。設(shè)計(jì)磁性元件時(shí)，鐵芯飽和是一個(gè)主要問題。大多數(shù)應(yīng)用都試圖避免這種情況。正如我們?cè)谇耙黄恼轮杏懻摰哪菢?，通過減少電感器的匝數(shù)，可以將鐵芯的磁通密度限制在飽和水平以下......
在這個(gè)項(xiàng)目中，我們通過將當(dāng)今的BLE技術(shù)與老式的科學(xué)博覽會(huì)計(jì)算機(jī)套件相結(jié)合，將新舊結(jié)合。幾十年來(lái)，Radio Shack除了提供其他產(chǎn)品外，還提供了各種項(xiàng)目工具包。使用這些工具包，初露頭角的電子實(shí)驗(yàn)者和業(yè)余愛好者可以學(xué)習(xí)......
磁芯飽和是磁性元件設(shè)計(jì)的主要限制之一。在這篇文章中，我們探討了不同因素（特別是匝數(shù)）如何影響電感器的鐵芯飽和度。在上一篇文章中，我們看到強(qiáng)磁場(chǎng)會(huì)導(dǎo)致磁性材料飽和。在飽和材料中，核心中的所有磁疇都與外部磁場(chǎng)對(duì)齊。超過這一點(diǎn)......
在本文中，我們將了解核心飽和以及為什么在大多數(shù)應(yīng)用程序中應(yīng)該避免它。然后，我們研究了定義磁導(dǎo)率的不同方法如何幫助我們預(yù)測(cè)磁芯的飽和磁通密度。飽和和磁滯都是磁芯材料的基本特性。它們使B-H曲線非線性和多值化，使磁性元件的設(shè)......
今天給大家分享的是陶瓷電容失效模式及機(jī)理分析。陶瓷電容是一種定值電容，其中電介質(zhì)由陶瓷材料制成。陶瓷電容由兩個(gè)或多個(gè)交替的陶瓷層和一個(gè)金屬電極層組成，陶瓷材料的電性能和應(yīng)用由其成分決定。但是當(dāng)陶瓷電容出現(xiàn)故障時(shí)，又是什么......
43.2%在閱讀
23.2%在互動(dòng)
