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	碳化硅 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?～600m?，將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A～73A。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intersil  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器                          
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          功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：  對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計(jì)算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開(kāi)通過(guò)程的影響，并通過(guò)仿真和試
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)  變壓器設(shè)計(jì)                            
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          Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固ORing控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intersil  MOSFET  ISL6146                          
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          同步降壓MOSFET電阻比的選擇
          
                                                            
            
                    	
          • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  同步降壓  電阻比                            
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          恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性;同時(shí)，與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
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          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  LFPAK56D  MOSFET                          
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          科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片
          
                                                            
            
                    	
          • LED 領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  LED  碳化硅                          
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          意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車等綠色能源應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        意法  晶體管  MOSFET  LED                          
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          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片 
          
                                                            
            
                    	
          • 　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)?？其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻籼峁┽槍?duì)高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場(chǎng)的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  碳化硅  LED                          
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          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片
          
                                                            
            
                    	
          • LED領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過(guò)推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場(chǎng)的發(fā)展。此項(xiàng)最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開(kāi)始訂購(gòu)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  LED  碳化硅                          
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          開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
          
                                                            
            
                    	
          • 進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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          • 關(guān)鍵字：
                        開(kāi)關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅（SiC）                          
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          如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET                            
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          估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法
          
                                                            
            
                    	
          • 本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  熱插拔  方法                            
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          功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析
          
                                                            
            
                    	
          • 本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  數(shù)據(jù)表  分析                            
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	共1490條
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          碳化硅 mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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