碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
看完這篇,4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型
- 今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步:選用N溝道還是P溝道 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮?!∫x擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓,以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET,賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能
- 為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)(SOA)之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害,并因其低RDS(on
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手搓了一個(gè)3kW碳化硅電源!實(shí)測(cè)一下!
- 做了一個(gè)3KW碳化硅電源!(全稱:碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用?具體參數(shù)是(第1章)?怎么設(shè)計(jì)出來的(第2章)?實(shí)測(cè)情況(第3章)?原理是(第4章)?開源網(wǎng)址入口(第5章)?下文一一為你解答!1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計(jì):CW32+IVCC1102輸入:AC 110V~270V 20Amax輸出:DC 350V-430V 20Amax功率:3000W設(shè)計(jì)功率:3500W效率:98.5%能用在哪些地方?① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級(jí)PFC環(huán)節(jié);②
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強(qiáng)茂SGT MOSFET第一代系列:創(chuàng)新槽溝技術(shù)車規(guī)級(jí)60 V N通道 突破車用電子的高效表現(xiàn)
- 隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展,強(qiáng)茂推出最新車規(guī)級(jí)60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率,降低導(dǎo)通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能。強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,為
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第9講:SiC的加工工藝(1)離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小,因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)(形成pn結(jié))。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù):在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí),對(duì)于n型區(qū)域通常使用氮(N)或磷(P),這是容易低電阻化的施主元素,而對(duì)于p型區(qū)域則通常使用鋁(Al)作為受主元素。另外,用于Al離子注入的原料通常是固體,要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入,需
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK? SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %,導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)降低了1
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基本半導(dǎo)體完成股份改制,正式更名
- 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要,經(jīng)深圳市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù),公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑,標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營(yíng)機(jī)制和組織形式得到全方位重塑,將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起,公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊(cè)地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓,詳細(xì)地址為:深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號(hào)青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用,包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測(cè)試樣品,供客戶評(píng)估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí),其可靠性會(huì)因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題,但如若將SBD布置在芯片上
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對(duì)稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管,這是市場(chǎng)上首款非對(duì)稱瞬態(tài)抑制解決方案,專為保護(hù)碳化硅(SiC)MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高,因此越來越受到歡迎,對(duì)穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對(duì)稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案,在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對(duì)稱系列是市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET柵極保護(hù) 非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse
碳化硅6吋基板供過于求 價(jià)格崩盤
- 碳化硅(SiC)6吋基板新產(chǎn)能大量開出,嚴(yán)重供過于求,報(bào)價(jià)幾乎季季跳水,2024年年中每片低于500美元(約中國(guó)大陸制造成本價(jià)),第四季價(jià)格已有喊到450、400美元(9月400~600美元),甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出,價(jià)格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售,而買家不敢輕易出手撿便宜,因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價(jià)格還會(huì)再下降。而明日之星的8吋SiC基板,雖未到真正量產(chǎn),但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑,尤其是中國(guó)大陸價(jià)格直落,彷佛坐上溜滑梯,下修速度甚快。業(yè)者分析,8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格,供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段,供給
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 基板
聚焦碳化硅項(xiàng)目,鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作
- 據(jù)“融中心”消息,大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:鉅芯半導(dǎo)體)在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉,三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開,將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解,今年以來,部分韓國(guó)半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè),并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道,今年3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布,已在韓國(guó)首次成功開發(fā)出2
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 鉅芯半導(dǎo)體
進(jìn)擊的中國(guó)碳化硅
- 中國(guó)碳化硅廠商把價(jià)格打下來了。
- 關(guān)鍵字: SiC
全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠?
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關(guān)鍵字: SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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