碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
一文讀懂功率半導體
- 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
- 關鍵字： 功率半導體 MOSFET IGBT
10分鐘狂充80%電量！東風碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車
- 近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
- 關鍵字： 東風 碳化硅 功率模塊 IGBT
純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進 Wolfspeed 碳化硅技術
- 2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
- 關鍵字： 純電動 捷豹 I-TYPE 6 Wolfspeed 碳化硅
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
- 關鍵字： Infineon OBC SiC
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來，隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
- 關鍵字： ROHM MOSFET
日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體：提高用電效率、增加電動車續(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
- 關鍵字： 羅姆 功率半導體 碳化硅 新能源車
SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
- 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結(jié)合自身的技術積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅(qū)動電壓，以及SiC器件驅(qū)動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時
- 關鍵字： 富昌電子 MOSFET
通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關鍵字： SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換
RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內(nèi)市場空白
- 現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
- 關鍵字： RS瑞森半導體 MOSFET
以碳化硅技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程
- 目前影響著車輛運輸和半導體技術的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車，同時重新設計支撐電動車（EV）子系統(tǒng)的半導體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規(guī)行為給予嚴厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設電動車充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關于行駛里程的
- 關鍵字： 碳化硅 牽引逆變器 電動車 ADI
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