碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

躋身第三代半導(dǎo)體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

　　隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢(shì)作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會(huì)，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)。　　據(jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路（有時(shí)稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個(gè)開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級(jí)開關(guān)電源IC

　　2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會(huì)，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC

InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車牽引逆變器

三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

新年第一個(gè)月，中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái) -- 湖南三安“喜提”多個(gè)好消息。長沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗(yàn)證，車規(guī)級(jí)二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國都發(fā)布了“雙碳”計(jì)劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計(jì)劃拿出超過600億美元用于推動(dòng)家用車和公交車的電動(dòng)化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟(jì)性標(biāo)準(zhǔn)以促進(jìn)新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率，在充電樁、車載充電
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車市場(chǎng)成長帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
關(guān)鍵字：環(huán)旭電子電動(dòng)車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車市場(chǎng)成長帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對(duì)電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對(duì)比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
關(guān)鍵字：系統(tǒng)級(jí)封裝腔體 3D堆疊鍵合銅片夾扣 202112 MOSFET

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實(shí)現(xiàn)二級(jí)保護(hù)的方案；論述了其實(shí)現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測(cè)量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測(cè)電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
關(guān)鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機(jī)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項(xiàng)棘手且耗時(shí)的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
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ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標(biāo)準(zhǔn)“Energy Star*3”和安全標(biāo)準(zhǔn)“IEC 62368”等，需要從國際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航

一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行，需要具備對(duì)抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對(duì)相對(duì)不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時(shí)間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個(gè)主要因素（在一個(gè)簡化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個(gè)是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個(gè)晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計(jì)者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對(duì)電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會(huì)增加，這會(huì)導(dǎo)
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意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動(dòng)電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

※? ?意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用※? ?持續(xù)長期投資 SiC市場(chǎng)，意法半導(dǎo)體迎接未來增長服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進(jìn)在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。作為 Si
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