碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
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添加靈活的限流功能
- 問題：我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應(yīng)用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見?？烧{(diào)限流功能在采用外部電源開關(guān)的控制器設(shè)計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
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使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應(yīng)用中的AC輸入開關(guān)效率和可靠性
- 在越來越多的應(yīng)用中，對導(dǎo)通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素，這些應(yīng)用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應(yīng)傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設(shè)計。當AC電源異步導(dǎo)通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導(dǎo)通時，浪涌電流可能超過100A。反復(fù)暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負面影響。電觸點的預(yù)期壽命因浪涌電流需求
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在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案
- 源設(shè)計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導(dǎo)致傳輸設(shè)備過熱，并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真，則會引起電流諧波，從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
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利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
- 目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內(nèi)部集成PowiGaN?開關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
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如何選擇合適的電路保護
- 問題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能，同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設(shè)計人員面臨著平衡設(shè)計復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個電子保護子系統(tǒng)為例，受其特性限制，無法進行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
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恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題
- 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應(yīng)用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò)能夠在更大型復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中運行，實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項經(jīng)濟高效的技術(shù)能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應(yīng)對下一代汽車的網(wǎng)絡(luò)挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車客戶?！? ?長安汽車成為第一家采
- 關(guān)鍵字： OEM SiC
碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑
- 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 新能源汽車 功率半導(dǎo)體 202110 MOSFET SiC
東芝支持功能安全的車載無刷電機預(yù)驅(qū)IC的樣品出貨即將開始
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，已開始供應(yīng)“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車應(yīng)用的預(yù)驅(qū)IC（其中包括電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)和電氣制動器使用的無刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC，能夠控制和驅(qū)動用于驅(qū)動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車系統(tǒng)。這種新型IC內(nèi)置三通道預(yù)驅(qū)，用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國電子網(wǎng)》評為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎獲獎產(chǎn)品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應(yīng)能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎已連續(xù)舉辦十九屆，成為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新電源產(chǎn)品的標志性獎項。獲獎產(chǎn)品由工程師投票，經(jīng)21IC編委會綜合技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用開
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雙脈沖測試基礎(chǔ)系列：基本原理和應(yīng)用
- 編者按雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設(shè)計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關(guān)損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案
- 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動器，模擬調(diào)光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術(shù)和內(nèi)部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個模擬調(diào)光范圍內(nèi)進行精確的穩(wěn)流，穩(wěn)流精度在滿載時<±2%，在1%的負載時<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負載情況在CCM (N
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗
- 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可降低50%開關(guān)損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計人員來說，Microchip的Agi
- 關(guān)鍵字： Microchip 碳化硅 MOSFET
雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者
- 0? ?引言數(shù)字開關(guān)通常使用MOSFET 來創(chuàng)建，但是對于低飽和電壓的開關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢（圖1）。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動設(shè)備提供更長的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開關(guān)應(yīng)用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
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