- 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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寬禁帶半導體 SiC
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
臺達電技術長暨總
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SiC GaN
- ROHM新聞發(fā)布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！ OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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ROHM SiC
- 技術創(chuàng)新是推動產業(yè)發(fā)展的永恒動力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。
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半導體 SiC
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術，開關性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關特性使其特別適用于電機驅動裝置，例如電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)。
意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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意法半導體 MOSFET
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
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MOS管 MOSFET
- 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結構后，以24V電源背板總線數據采集卡為設計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設計過程，并對設計電路進行了測試驗證，
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TPS2491 熱插拔 保護電路 MOSFET
- 2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產品組合。該產品家族進一步壯大了行業(yè)領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。
更環(huán)保的技術
英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設計的產品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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英飛凌 MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設備中的負載開關的N溝道MOSFET，該產品實現了業(yè)界領先的1]低導通電阻。新產品出貨即日啟動。
新產品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現了業(yè)界領先的低導通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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東芝 MOSFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
- 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
碳化硅(sic)mosfet介紹
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