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          關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析

          虧損將導(dǎo)致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量

          •   7月6消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱,由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設(shè)新的工廠或者推遲實(shí)施其它擴(kuò)大生產(chǎn)能力的計(jì)劃,今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長(zhǎng)率將受到限制。   DRAM內(nèi)存價(jià)格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設(shè)新的12英寸晶圓工廠,同時(shí)減少新的晶圓產(chǎn)量。臺(tái)灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導(dǎo)體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長(zhǎng)率控制在50%至60%。據(jù)介紹,華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長(zhǎng)率是112%。力晶半導(dǎo)體20
          • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存  晶圓  

          Spansion開(kāi)發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲(chǔ)產(chǎn)品

          •   Spansion宣布開(kāi)發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲(chǔ)產(chǎn)品計(jì)劃,旨在通過(guò)取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來(lái)解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時(shí)宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲(chǔ)容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機(jī)   能效專家及斯坦福大學(xué)顧問(wèn)教授Jonathan Koomey博士最近的報(bào)告指出,數(shù)據(jù)中
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  Spansion  數(shù)據(jù)中心  DRAM  

          Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器降低能耗達(dá)75%

          •   全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布開(kāi)發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲(chǔ)產(chǎn)品計(jì)劃,旨在通過(guò)取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來(lái)解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時(shí)宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲(chǔ)容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。   數(shù)據(jù)中心能源危機(jī)
          • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存  中心服務(wù)器  能耗  EcoRAM  DRAM  

          三星8000萬(wàn)顆瑕疵DRAM被退回 可能流向市場(chǎng)

          •   6月20日消息,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道,繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問(wèn)題后,三星的68納米DRAM日前也曝出問(wèn)題,導(dǎo)致8000萬(wàn)顆1GB DDR2被客戶退回。   今年4月,因Hynix 66納米工藝良率不高,導(dǎo)致大批1GB DDR2晶圓報(bào)廢。日前,三星也曝出同樣的問(wèn)題。有消息稱,三星有8000萬(wàn)顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。   對(duì)此,下游客戶表示出了一絲擔(dān)心,三星將如何處理這批瑕疵產(chǎn)品呢?如果以較低價(jià)格傾銷到現(xiàn)貨市場(chǎng),那勢(shì)必將對(duì)該市場(chǎng)價(jià)格產(chǎn)生劇烈影響。目前,三星并未給出具體
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  晶圓  

          半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無(wú)利潤(rùn)繁榮”時(shí)代?

          •   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無(wú)利潤(rùn)繁榮”時(shí)代?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無(wú)法再獲得足夠的投資回報(bào)率來(lái)滿足空前高漲的產(chǎn)能需求?在美國(guó)加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會(huì)”(SEMIIndustryStrategySymposium)上,LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對(duì)產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點(diǎn),并指出目前復(fù)雜的財(cái)務(wù)狀況用“無(wú)利潤(rùn)繁榮”來(lái)描述是再合適不過(guò)的了。Newberry的講話被與會(huì)者評(píng)價(jià)為此次座談
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  NOR  

          2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)從緊態(tài)勢(shì)

          •   市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告,稱由于受到美國(guó)經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累,預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%,達(dá)475億美元。   Gartner公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示,“原來(lái)所預(yù)測(cè)的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了,大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當(dāng)前的市場(chǎng)行情,預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%,而整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)費(fèi)用支出將減少29%”。   Gartner還稱,預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  存儲(chǔ)芯片  

          AMD否認(rèn)撤銷Kuma處理器傳言 將按計(jì)劃推出

          •   6月13日消息,AMD稱,它將按計(jì)劃推出代號(hào)為“Kuma”的雙核處理器,否認(rèn)某些型號(hào)的“Kuma”處理器已經(jīng)取消的猜測(cè)。   AMD發(fā)言人Jake Whitman說(shuō),這種猜測(cè)完全是不真實(shí)的。我們?nèi)詫从?jì)劃在2008年下半年推出代號(hào)為“Kuma”的處理器。這種處理器仍采用65納米生產(chǎn)工藝,仍以Star的內(nèi)核為基礎(chǔ)。   AMD發(fā)言人稱,不像某些文章說(shuō)的那樣,“Kuma”處理器與代號(hào)為“Phen
          • 關(guān)鍵字: AMD  Kuma  處理器  半導(dǎo)體  存儲(chǔ)芯片  DRAM  

          手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動(dòng)存儲(chǔ)的未來(lái)

          •   NAND和mDRAM激增,NOR-less機(jī)型增多   手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化?   在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi),隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見(jiàn)的大眾通信工具,手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動(dòng)DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。   這種轉(zhuǎn)變的背后,是因?yàn)槭袌?chǎng)需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用于保存語(yǔ)音/音樂(lè)、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
          • 關(guān)鍵字: 手機(jī)  NOR閃存  pSRAM  DRAM  NAND閃存  iSuppli    

          磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器將挑戰(zhàn)閃存

          •   磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。   根據(jù)消息,飛思卡爾半導(dǎo)體(前摩托羅拉公司芯片部門)周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險(xiǎn)投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司,側(cè)重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器),其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。   MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
          • 關(guān)鍵字: MRAM  快閃記憶體  Flash  DRAM  Everspin  

          內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇時(shí)日不明 投資者可能轉(zhuǎn)向模擬芯片領(lǐng)域

          •   由于處境不佳的電腦內(nèi)存市場(chǎng)今年預(yù)計(jì)僅會(huì)溫和復(fù)蘇,考慮押注全球芯片產(chǎn)業(yè)的投資者可能打算把資金投向快速增長(zhǎng)的模擬芯片領(lǐng)域。用于便攜產(chǎn)品的閃存價(jià)格似乎正在趨穩(wěn),但參加路透全球技術(shù)、媒體與電信峰會(huì)的高管們表示,他們對(duì)于該產(chǎn)業(yè)何時(shí)復(fù)蘇不太確定。   分析師預(yù)計(jì)今年全球DRAM銷售額下降10%,2009年增長(zhǎng)約20%。主要DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導(dǎo)體的DRAM價(jià)格自4月以來(lái)反彈,促使業(yè)內(nèi)高管預(yù)期市場(chǎng)供需在今年下半年恢復(fù)平衡。   閃存價(jià)格持平   全球第二
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  模擬芯片  

          三星:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已走出波谷 價(jià)格即將反彈

          •   5月27日消息,隨著供過(guò)于求的緩解,三星預(yù)計(jì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存價(jià)格在今年晚些時(shí)候會(huì)出現(xiàn)反彈。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,新上任的三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)主管Kwon Oh Hyun今天在一次會(huì)議上表示,內(nèi)存芯片價(jià)格將不再“處于底部”。但內(nèi)存產(chǎn)業(yè)今年下半年的前景仍不明朗。   德意志銀行曾預(yù)計(jì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于波谷,供應(yīng)增長(zhǎng)的明顯減速將使得價(jià)格有望在2009年結(jié)束前出現(xiàn)反彈,Kwon的評(píng)論正好與德意志銀行的預(yù)計(jì)相符。   在內(nèi)存生產(chǎn)廠商上季度因存貨過(guò)多導(dǎo)致包括三星在內(nèi)的主要廠商出現(xiàn)虧損后,DRA
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  波谷  價(jià)格  DRAM  

          存儲(chǔ)器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價(jià)格

          •   近期記憶體業(yè)者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格,一是每年1次的晶圓廠跳電事件,帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機(jī)制”,使得上游供給減少,二是記憶體廠制程凸捶,導(dǎo)致的供給大減,尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個(gè)人電腦(PC)的成長(zhǎng)性,很難再出現(xiàn)需求大好的情況,只好想盡辦法讓供給減少,維持價(jià)格秩序。   意外事件+制程出錯(cuò) 穩(wěn)定價(jià)格的捷徑   2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火,導(dǎo)致NAND Fla
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  NAND  晶圓  三星  海力士  NB  DT  

          美光可有能買下奇夢(mèng)達(dá)手中35%股權(quán) 大股東南科稱尚未定案

          •   美光有可能買下奇夢(mèng)達(dá)所持有的臺(tái)灣DRAM廠華亞科技的股權(quán)。對(duì)此,華亞科技大股東南科表示,針對(duì)華亞科技的股權(quán)處置,南科與奇夢(mèng)達(dá)仍在協(xié)商中,尚未定案。   外電報(bào)道指出,美光決定與臺(tái)灣DRAM大廠南科結(jié)盟,兩公司計(jì)劃在臺(tái)合資成立亞美科技,預(yù)計(jì)2009年底前各自投資現(xiàn)金5.5億美元后,美光有可能進(jìn)一步買下奇夢(mèng)達(dá)所持有的華亞科技35%股權(quán)。   針對(duì)美光將買下奇夢(mèng)達(dá)所持華亞科技股權(quán)事宜,華亞科總經(jīng)理高啟全表示,南科與奇夢(mèng)達(dá)等兩大股東正針對(duì)華亞科股權(quán)處置事宜進(jìn)行協(xié)商,至于結(jié)果由誰(shuí)買下對(duì)方股權(quán)及資金來(lái)源,目前
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  奇夢(mèng)達(dá)  南科  

          艱難時(shí)期顯實(shí)力 芯片代工巨頭加快產(chǎn)品轉(zhuǎn)型技術(shù)升級(jí)

          •   今年第一季度,芯片代工企業(yè)大多贏利艱難,臺(tái)積電憑借雄厚的實(shí)力試圖甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。中芯國(guó)際為避免持續(xù)虧損,毅然放棄了DRAM代工業(yè)務(wù)。   進(jìn)入2008年以來(lái),受全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)緩慢、北美市場(chǎng)持續(xù)疲軟的影響,半導(dǎo)體芯片代工行業(yè)處境依舊艱難。對(duì)全球前四大代工廠公布的2008年第一季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以看出,在該季度,除領(lǐng)頭羊臺(tái)積電有較大幅度增長(zhǎng)之外,其他廠家都在為贏利而掙扎,   有的還處在產(chǎn)品線轉(zhuǎn)型的陣痛之中。不過(guò),通信和消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的增長(zhǎng)也給業(yè)內(nèi)人士帶來(lái)一絲寬慰,這或許預(yù)示著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走入新的
          • 關(guān)鍵字: 芯片  臺(tái)積電  中芯國(guó)際  DRAM  半導(dǎo)體  英特爾  三星  特許  聯(lián)華電子  
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          3d dram介紹

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