3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
Hynix勢(shì)頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場(chǎng)的份額已降至7年來的最低點(diǎn)，可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報(bào)告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場(chǎng)份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個(gè)百分點(diǎn)。這是自2000年以來，三星在DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過去的五年中，三星的DRAM市場(chǎng)份額平均比第二名高出17%。相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix的市場(chǎng)份額達(dá)到了22.8%。銷售額達(dá)到了21.82億美元，同比增長(zhǎng)6
- 關(guān)鍵字： DRAM Hynix 三星 消費(fèi)電子 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì)（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7％，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來自4月上旬的合約價(jià)格，它們顯示出DR
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息，據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來
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揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長(zhǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
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印度半導(dǎo)體離中國(guó)還很遠(yuǎn)
- 29年前,美國(guó)愛達(dá)荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國(guó)投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測(cè)試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報(bào)記者專訪。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險(xiǎn)家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
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美光科技公司在中國(guó)啟動(dòng)新制造工廠
- 2007年3月21日, 中國(guó)西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國(guó)的第一家制造工廠，它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測(cè)試?！ 榇?，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成，總投資將達(dá)到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測(cè)試工廠，其第一家封裝測(cè)試工廠于1998年在新
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。 臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì)，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。 臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)。縱觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
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奇夢(mèng)達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗(yàn)證
- 奇夢(mèng)達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗(yàn)證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個(gè)75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項(xiàng)新的技術(shù)平臺(tái)和產(chǎn)品是雙方共同在德國(guó)德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢(mèng)達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項(xiàng)新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負(fù)責(zé)奇夢(mèng)達(dá)的市場(chǎng)和運(yùn)作，也是管理委員會(huì)的委員之一的賽佛(Thomas&
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因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位
- iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個(gè)月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動(dòng)個(gè)人電腦銷售增長(zhǎng)。 這家美國(guó)研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報(bào)告中調(diào)升短期DRAM市況評(píng)等，由原先的“中性”升至“正向”。 iSuppli在9月5日發(fā)表的報(bào)告中指出，8月初時(shí)，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加。 由于微處理器
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05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍
- 據(jù)著名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲(chǔ)存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國(guó)臺(tái)灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲(chǔ)存芯片制造商爾必達(dá)公司（Elpida）是全球最高前六個(gè)公司中銷售收入實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)的公司。 調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲(chǔ)存芯片
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ST推出內(nèi)置DRAM存儲(chǔ)器的微控制器
- 意法半導(dǎo)體（ST）日前公布了一款針對(duì)無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個(gè)代號(hào)為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號(hào)為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。 GreenFI
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