3nm gaa 文章 進(jìn)入3nm gaa技術(shù)社區(qū)
特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱，特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持
- 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺(tái)天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu)，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達(dá)3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯(lián)發(fā)科予以否認(rèn)并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭(zhēng)議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺(tái)積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)
- 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識(shí)，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測(cè)系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測(cè)量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級(jí)半導(dǎo)體器件制造過程中的高精度、高速測(cè)量和檢測(cè)，這些半導(dǎo)體器件正變得越來越小型化和復(fù)雜化，并有助
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消息稱高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm，預(yù)估臺(tái)積電 2024 年底月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬片
- IT之家 11 月 22 日消息，臺(tái)積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個(gè)客戶在用，那就是蘋果。根據(jù)中國臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當(dāng)前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預(yù)訂了臺(tái)積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升，臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達(dá)到 6～7 萬片，全年?duì)I收占比有望突破 5％，明年更有機(jī)會(huì)達(dá)到 1 成。據(jù)稱，在英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科
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蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能
- 10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會(huì)，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時(shí)公布，蘋果官方在發(fā)布會(huì)中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
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三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過60% 將影響明年訂單競(jìng)爭(zhēng)
- 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開始量產(chǎn)，臺(tái)積電則是在12月29日開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過60%，臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達(dá)到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)
- 外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電將在國際電子元件會(huì)議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個(gè)單片3DCFET，
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三星和臺(tái)積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎
- 目前三星和臺(tái)積電（TSMC）都已在3nm制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報(bào)道，雖然三星和臺(tái)積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù)，無論如何取舍和選
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?3nm工藝意味著什么？
- 這些 3nm 芯片是什么？
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蘋果首發(fā)3nm芯片，GPU性能暴漲
- 今日，蘋果舉辦發(fā)布會(huì)，正式推出了包括iPhone 15系列和Apple Watch Series 9 / Ultra 2在內(nèi)的多款產(chǎn)品，其售價(jià)從1999元到13999元不等。其中iPhone 15 Pro/15 Pro Max的最大亮點(diǎn)也是芯片，其搭載的A17 Pro 芯片，也是業(yè)界首款 3 nm芯片。集成了 190 億顆晶體管，晶體管間僅有 12 個(gè)硅原子寬度的縫隙，內(nèi)置六核 CPU的性能是 A16 Bionic 的兩倍，而效率則高達(dá)四倍。作為對(duì)比，A15 有 150 億個(gè)晶體管，A14有118 億個(gè)晶
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iPhone15剛剛發(fā)布，全球首款3nm來了
- 千呼萬喚始出來，北京時(shí)間 9 月 13 日凌晨 1 點(diǎn)，蘋果秋季新品發(fā)布會(huì)準(zhǔn)時(shí)拉開帷幕，主題為「好奇心上頭」。在今年的蘋果「春晚」的短短一個(gè)小多小時(shí)中，蘋果總共發(fā)布了 7 款新品，包括：4 款全新 iPhone 15 系列、3 款新 Apple Watch。本場(chǎng)發(fā)布會(huì)最大亮點(diǎn)：iPhone 15 Pro 系列搭載全球業(yè)界首款 3nm 手機(jī)芯片，包含 2 顆高性能核心和 4 顆高能效核心，集成了 190 億顆晶體管。此前爆料曾多次提到，蘋果將為 iPhone 15 Pro 系列會(huì)取消掉祖?zhèn)鞯摹胳o音按鈕」，在
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臺(tái)積電8月營收環(huán)比增長(zhǎng)6.2%，3nm量產(chǎn)將帶動(dòng)Q3營收回升
- 9月8日，晶圓代工大廠臺(tái)積電公布，8月合并營收達(dá)新臺(tái)幣1886.86億元，相比7月環(huán)比增長(zhǎng)6.2%，較2022年同期減少13.5%，創(chuàng)歷年同期次高。累計(jì)2023年前8個(gè)月營收約新臺(tái)幣13557.77億元，較2022年同期減少5.2%。臺(tái)積電先前法說會(huì)預(yù)期，第三季合并營收介于167～175億美元，以中位數(shù)估算，合并營收5266.8億元，季增9.5％、年減12.09％。并表示，3nm制程強(qiáng)勁量產(chǎn)將帶動(dòng)第三季營收回升，唯部分成長(zhǎng)動(dòng)能被客戶持續(xù)庫存調(diào)整抵消。據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，在2023年
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臺(tái)積電3納米制程！MediaTek首款天璣旗艦芯片來了
- 2023年9月7日，MediaTek與臺(tái)積公司共同宣布，MediaTek首款采用臺(tái)積公司3納米制程生產(chǎn)的天璣旗艦芯片開發(fā)進(jìn)度順利，已成功流片，并計(jì)劃在明年量產(chǎn)。 MediaTek與臺(tái)積公司長(zhǎng)期以來一直保持著緊密的戰(zhàn)略合作關(guān)系，雙方發(fā)揮各自在芯片設(shè)計(jì)和制造方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，共同打造高性能、低功耗的高能效旗艦芯片，為全球終端設(shè)備賦能。 MediaTek總經(jīng)理陳冠州表示：“MediaTek在拓展全球旗艦市場(chǎng)的策略上，致力于采用全球最先進(jìn)的技術(shù)為用戶打造尖端科技產(chǎn)品，提升及豐富大眾生活。臺(tái)積電穩(wěn)定且高品質(zhì)的制造能力
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聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)5G Soc！臺(tái)積電3nm天璣芯片成功流片：2024年量產(chǎn)
- 9月7日消息，今日，聯(lián)發(fā)科官方宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3nm工藝的天璣旗艦芯片開發(fā)順利，日前已成功流片，預(yù)計(jì)2024年下半年上市，將成為聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)5G Soc。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm擁有更強(qiáng)性能、功耗、良率，相較5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。在今年7月的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家透露，去年底開始量產(chǎn)的N3 3nm工藝，已完全通過驗(yàn)證，性能、良品率都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)。臺(tái)積電3nm工藝第一代為N3B，技術(shù)上很先進(jìn)很復(fù)雜，應(yīng)用多達(dá)25
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