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華虹NEC BCD180工藝平臺進入量產(chǎn)
- 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今日宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD(Bipolar CMOS DMOS)--BCD180工藝技術(shù)進入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數(shù)字電源、電機驅(qū)動、音頻功放、LED驅(qū)動、電池保護和高端電源管理等新興應(yīng)用而開發(fā)的，具有高集成度、低功耗、低開啟電阻、多樣工藝選項和可編程等優(yōu)點，極大地方便客戶選擇，為客戶提供更多的價值。
- 關(guān)鍵字： 華虹 BCD 晶圓
美信與力晶合作完成BCD-MOS制程認證
- 繼德州儀器開始在美國12寸廠RFAB開始生產(chǎn)模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導(dǎo)體(Maxim)宣布，透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導(dǎo)體(BCD-MOS)制程認證，并已開始投片生產(chǎn)。不過，晶圓代工大廠臺積電對于在12寸廠生產(chǎn)模擬芯片仍興趣缺缺，表示短期內(nèi)12寸廠仍不會提供相關(guān)制程。 雖然電子產(chǎn)品銷售成長趨緩，德儀的芯片交期(lead time)已大幅縮短，但是德儀旗下12寸廠RFAB的模擬IC已在第3季完成了認證工作，本季就會正式投
- 關(guān)鍵字： Maxim BCD-MOS制程
臺積電推出0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產(chǎn)權(quán)
- 臺積電今日宣布，推出通過美國汽車電子協(xié)會(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產(chǎn)品規(guī)格驗證標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產(chǎn)權(quán)。 此一硅知識產(chǎn)權(quán)與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容，因此無需額外增加其他工藝步驟，提供車用電源管理及模擬產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片制造一個理想的選擇。
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華潤上華在北京舉辦工藝技術(shù)培訓(xùn)
- 華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)主辦、北京集成電路設(shè)計園協(xié)辦的“2010 CSMC 工藝培訓(xùn)(北京)”在北京舉行，有百余位主要來自北京的IC設(shè)計公司、大學(xué)、研究所的IC 設(shè)計人員和業(yè)務(wù)主管繞有興趣地參加了培訓(xùn)和討論。此次培訓(xùn)是繼去年華潤上華在京舉辦“共贏中國半導(dǎo)體應(yīng)用市場研討會”后，應(yīng)聽眾的反響和要求而開辦的。 根據(jù)聽眾欲更多了解華潤上華的工藝及特點，為其產(chǎn)品尋找低成本、高效率的工藝解決方案的需求，華潤上華精心準備了針對
- 關(guān)鍵字： 華潤上華 IC設(shè)計 BCD
基于AP3768的高效率超低待機功耗的手機充電器解決方案
- 近年來，節(jié)能環(huán)保理念的深入人心，對半導(dǎo)體IC設(shè)計和應(yīng)用也提出了更高的要求。2008年11月，五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和LG電子聯(lián)合發(fā)布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來區(qū)分待機能耗。例如，待機功耗小于或等于30mW的手機充電器屬于最高星級，在其標簽上印有五顆星。相反，如果待機功耗≤500mW，則充電器標簽上將無任何星級標記。為適應(yīng)手機充電器的技術(shù)革新和發(fā)展，新進半導(dǎo)體制造有限公司(簡稱BCD半導(dǎo)體)于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768，
- 關(guān)鍵字： BCD 手機充電器 AP3768
Dialog與臺積電攜手開發(fā)適用于電源管理芯片的BCD工藝
- 領(lǐng)先業(yè)界的高整合創(chuàng)新電源管理半導(dǎo)體解決方案提供業(yè)者－德商Dialog半導(dǎo)體公司與TSMC 23日共同宣布，雙方正密切合作，為移動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工藝技術(shù)。 此0.25微米高壓工藝技術(shù)世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯片中，因而增加成本效益，同時擴大Dialog公司解決方案的潛在市場。 Dialog公司下一世代電源管理芯片的重要特點之一，就是將更高電壓與更有效的元件予以整合，因此得以開發(fā)出更小尺寸、更節(jié)能的芯片；這些芯
- 關(guān)鍵字： 臺積電 電源管理 BCD
TSMC推出高整合度LED驅(qū)動集成電路工藝
- TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。 此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代，并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務(wù)，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
- 關(guān)鍵字： TSMC BCD LED驅(qū)動
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