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PFC電路：柵極電阻的更改

在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中，降噪是的一項(xiàng)重大課題，通常，可以通過提高開關(guān)器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來探討當(dāng)將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)評(píng)估，所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點(diǎn)?增加開關(guān)元件的柵極電阻會(huì)抑制噪聲，但與之存在權(quán)衡關(guān)系的效率會(huì)降低，因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。?將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，其最大柵極電阻RG可以通過仿真來確認(rèn)。
關(guān)鍵字： ROHM PFC

隔離電流檢測(cè)放大器在PFC升壓系統(tǒng)中的應(yīng)用

PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”，被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。當(dāng)使用于大中功率開關(guān)電源時(shí)，提高功率因數(shù)可以降低電網(wǎng)傳輸中的損耗從而提高電能的輸送效率。因此提高功率因數(shù)有著重要的意義。本文將為大家介紹川土微電子CA-IS120X/130X系列產(chǎn)品在PFC中的應(yīng)用，并針對(duì)實(shí)際應(yīng)用提出使用方法和控制建議。01 功率因數(shù)的定義功率因數(shù)定義為交流電路有功功率P(W)對(duì)視在功率S(V*A)的比值。當(dāng)交流電壓和電流相位不同時(shí)，則功率因數(shù)小于1。用戶電器設(shè)
關(guān)鍵字：川土微電子放大器 PFC

安森美半導(dǎo)體推出新一代Multi-Mode (DCM & CCM) PFC IC–NCP1618應(yīng)用于 500W 之防疫醫(yī)療儀器電源方案

一場(chǎng)世紀(jì)病毒帶給人類天翻地覆的影響，全球?qū)τ诰让尼t(yī)療儀器需求殷切，世平集團(tuán)推出新一代PFC IC – NCP1618應(yīng)用于 500W 之防疫醫(yī)療儀器電源，是采用安森美(ON Semi) 半導(dǎo)體新一代高效能NCP1618 Multi-Mode (DCM & CCM) Power Factor Controller (多模操作之功率因數(shù)控制IC) . 此一IC 內(nèi)建高壓?jiǎn)?dòng)(HV Start-up)電路，智能轉(zhuǎn)換連續(xù)電流模式(CCM)、臨界電流模式(CrM) 及非連續(xù)電流模式
關(guān)鍵字：安森美 NCP1618 醫(yī)療電源 PFC DCM CCM

利用PFC電路減少諧波失真

日常生活中，大家會(huì)發(fā)現(xiàn)工業(yè)用電電費(fèi)會(huì)高于居民用電電費(fèi)。從技術(shù)角度來解答是因?yàn)楣I(yè)用電傳輸成本高，由于工業(yè)應(yīng)用中的用電設(shè)備多為大功率電感或容性負(fù)載，其功率因數(shù)相對(duì)居民用電設(shè)備的功率因數(shù)較低，從而導(dǎo)致無功功率較高，損耗大，因此供電成本相對(duì)較高。而居民用電普遍為中小功率設(shè)備，耗電小，功率因數(shù)高，無功功率損耗少。本文將介紹功率因數(shù)（PF）和總諧波失真 (THD) 的概念，并回顧如何利用功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和 PFC 控制器來實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)并減少諧波失真。交流電的功率因數(shù)功率因素PF (λ) 是指有功功率
關(guān)鍵字： MPS PFC

安森美半導(dǎo)體多元操作模式(CrM.DCM.CCM) PFC IC NCP1655應(yīng)用于500W with STB電競(jìng)桌機(jī)電源

電腦發(fā)展至今已擴(kuò)展至眾多領(lǐng)域，電競(jìng)電腦及服務(wù)器運(yùn)用因其高速、大容量和多重連線的特點(diǎn)，預(yù)期將為電競(jìng)電腦及服務(wù)器帶來更多爆炸性的成長(zhǎng)。相對(duì)電競(jìng)及服務(wù)器電源需求也有等比例的需求成長(zhǎng)。因應(yīng)電競(jìng)電腦及服務(wù)器的應(yīng)用普及，安森美提出高效能PFC多元操作模式IC NCP1655的設(shè)計(jì)方案，且NCP1655輸入電壓由90V至265VAC，無論在輕載/半載/全載情境下，皆能提高轉(zhuǎn)換效率。加上快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級(jí)各式保護(hù)功能，特別是具有PFC-OK訊號(hào)供應(yīng)后級(jí)電源時(shí)序控制，NCP1655應(yīng)用達(dá)到高效率，
關(guān)鍵字： Onsemi CrM DCM CCM PFC NCP1655 電競(jìng) 電源

安森美半導(dǎo)體推出新一代Totem Pole 功率因數(shù)調(diào)整控制IC NCP1680 應(yīng)用于300W超高效網(wǎng)通電源

行動(dòng)通訊電腦發(fā)展至今已近40年，第五代行動(dòng)通訊技術(shù)(簡(jiǎn)稱5G)是最新一代行動(dòng)通訊技術(shù)，5G的效能目標(biāo)是高資料速率、減少延遲、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量和大規(guī)模裝置連接。為因應(yīng)5G基地臺(tái)應(yīng)用普及節(jié)省電源需求，安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680設(shè)計(jì)方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合5G通訊訴求之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求，加上NCP1680快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級(jí)各式保護(hù)功能，特別是具有
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Infineon 數(shù)字多模式PFC + LLC組合控制器 TV POWER應(yīng)用

LCD TV 電視由 LCD 面板、電源板、解碼板構(gòu)成。據(jù)統(tǒng)計(jì)，每年的液晶電視出貨量為 2.15 億臺(tái)。隨著 LCD TV 電視能效標(biāo)準(zhǔn)提升，集成化、超薄化，對(duì) TV 電源的要求也傾向于小體積和高能效 ,本方案描述的演示板是一個(gè)120w的SMPS，使用數(shù)字PFC-LLC組合控制器IDP2308，該產(chǎn)品是由德國(guó)半導(dǎo)體公司英飛凌科技研制的第二代16pin數(shù)字組合控制器。IDP2308是專門為電視電源中的開關(guān)模式電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)應(yīng)用方案。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案方塊圖?系統(tǒng)方框圖?核心技術(shù)優(yōu)
關(guān)鍵字： infineon 2308 數(shù)字電源數(shù)字多模式 PFC

基于 NXP MC56F81768 的 2000W 之 PFC 數(shù)位電源方案

數(shù)位電源 PFC 方案開發(fā)平臺(tái)數(shù)位電源漸漸普及到服務(wù)器、通訊設(shè)備、汽機(jī)車充電樁、個(gè)人電腦等，由于現(xiàn)在的電源功率越來越大，產(chǎn)品的規(guī)格要求越來越高，傳統(tǒng)類比電源由于硬體的限制，比較難達(dá)到這些需求，所以中高功率的電源供應(yīng)器才會(huì)慢慢由傳統(tǒng)的類比控制轉(zhuǎn)變成數(shù)位方式來實(shí)現(xiàn)控制、管理、與監(jiān)測(cè)功能。此開發(fā)板實(shí)現(xiàn) Single Phase PFC、Interleaved PFC、Bridgeless PFC 等架構(gòu)，電源回路的主控制芯片采用 NXP DSC 系列新推出的 MC56F81768，最大功率
關(guān)鍵字：數(shù)字電源數(shù)位電源服務(wù)器電源 PFC LLC NXP DSC MC56F81768

基于安森美PFC圖騰柱控制器NCP1681搭配GaN NCP58921的500W方案

隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，計(jì)算速度的不斷提升，時(shí)鐘頻率和供電電流需要相應(yīng)加快和增大，供電電壓則要求不斷降低。因此低電壓、大電流對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率提出了更高要求。此外，電子產(chǎn)品的小型化、薄型化、輕型化，電源產(chǎn)品的功率密度越來越成為衡量電源產(chǎn)品技術(shù)水平的關(guān)鍵指標(biāo)，也促使高效率高功率密度成為客戶選擇電源產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)。在此趨勢(shì)下，可在高頻率工作的GaN越來越多的被采用。安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案，相較傳統(tǒng)PFC之
關(guān)鍵字：安森美 PFC 圖騰柱 NCP1681 NCP58921

捕捉一致的顏色

挑戰(zhàn)：無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。解決方案：Blackfly S?和?Oryx?將最新的 CMOS 傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：●? ?色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)●? ?卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠最大限度提升圖像對(duì)比度●? ?準(zhǔn)確觸發(fā)保證高速圖像采集??精確的色彩分辨率通過矯正&
關(guān)鍵字： Teledyne Blackfly S Oryx CCM 相機(jī)

圖騰柱 PFC 級(jí)受益于CoolSiC? MOSFET

無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）級(jí)可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)，但使用硅 MOSFET 時(shí)出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數(shù)。
關(guān)鍵字：碳化硅圖騰柱 PFC 體二極管恢復(fù) 電荷效率損耗輸出電容

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
關(guān)鍵字： SiC FET PFC

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長(zhǎng)空間，根據(jù)最近的趨勢(shì)，到2024年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對(duì)于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡(jiǎn)單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個(gè)傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器，以增加負(fù)載的功率因數(shù)，從
關(guān)鍵字： MOSFET PFC

占空比的上限

開關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來實(shí)現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是指導(dǎo)通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(zhǎng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導(dǎo)通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準(zhǔn)確的計(jì)算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關(guān)穩(wěn)壓器的占空比由各自的開關(guān)穩(wěn)壓器拓?fù)錄Q定。降壓型（降壓）轉(zhuǎn)換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對(duì)于升壓型（升壓）轉(zhuǎn)換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
關(guān)鍵字： CCM TON MOSFET

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC