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cmos-mems 文章進入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品尼康V1全面拆解

半導體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機V1做了非常詳細而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
關(guān)鍵字：尼康 V1 CMOS

意法半導體推出新品運動傳感器技術(shù)

橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商及全球第一大消費電子和便攜式設備MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出兩款采用2x2mm微型封裝，擁有超低功耗及高性能的三軸加速度計芯片。新產(chǎn)品較上一代產(chǎn)品尺寸縮減50%，因此尤為適用于手機、平板電腦及游戲機等對功耗和尺寸限制嚴格的消費電子產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： ST MEMS LIS2DH LIS2DM

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
關(guān)鍵字： SuVolta CMOS

MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法

相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方
法在復雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板
的使用,先將非相容區(qū)域標記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應
用實例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應用的需要靈活而準確地實現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測量中的相位展開.
關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面
關(guān)鍵字：模板相位包裹算法基于測量表面 3-D 輪廓 MEMS/NEMS

一種基于動態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

摘要分析了以動態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態(tài)閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標
關(guān)鍵字：模擬法器 CMOS 2V 動態(tài) NMOS 基于

共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
關(guān)鍵字：共源共柵 CMOS 功率放大器

基于MEMS的LED芯片封裝光學特性分析

本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù)，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強度和光束性能的影響，分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設計r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
關(guān)鍵字： MEMS LED 芯片封裝光學特性

愛普科斯MEMS技術(shù)解析

越來越多的移動設備，如手機、耳機、相機和MP3，采用了先進的降噪技術(shù)，以消除背景音，提高聲音質(zhì)量。要使這種先進...
關(guān)鍵字：愛普科斯 MEMS

MEMS麥克風可增強音頻系統(tǒng)的質(zhì)量和可靠性

新型MEMS麥克風將高質(zhì)量音頻采集能力賦予便攜式設備，同時能夠降低成本、功耗和尺寸。
關(guān)鍵字： ADI MEMS 201111

MEMS傳感器整合解決方案

MEMS傳感器包括測量線性加速度和地球重力矢量的加速度計、測量角速率的陀螺儀、測量地球磁場強度以確定方位的地磁計和測量氣壓以確定高度的壓力傳感器。把這些傳感器整合在一起將會大幅擴大這些傳感器的應用范圍。本文以互補濾波器、卡爾曼濾波器和擴展型卡爾曼濾波器(EKF)為例，論述在一個傳感器整合解決方案內(nèi)如何讓這些傳感器協(xié)調(diào)工作，幫助讀者了解如何把傳感器整合從概念變?yōu)楝F(xiàn)實。
關(guān)鍵字：意法半導體 MEMS 傳感器 201111

采用綜合法封裝MEMS加速儀

MEMS封裝系統(tǒng)應有MEMS執(zhí)行感應功能，而且還要避免受到外界環(huán)境的影響，同時持續(xù)地改進質(zhì)量，達到較高的ppm性能。本文采用SOIC封裝，必須維持一個特定的共振頻率，從而防止傳感器被粘住或卡住。同時，封裝必須確保傳感器是可靠和完整的，沒有出現(xiàn)斷裂或輸出偏差。本文采用一種綜合學科研究方法，以確定合適的固晶材料來徹底解決器件斷裂的問題。這種方法涉及振動分析、電氣響應測定、壓力分析和斷裂力學。
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MEMS 加速儀 201111

加速創(chuàng)新步伐的MEMS傳感器

近年來，傳感器市場持續(xù)保持增長，其增速超過15%。特別是MEMS傳感器依靠獨特的技術(shù)優(yōu)勢，逐漸成為改變電子產(chǎn)品設計理念的幕后推手。
關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 201111

MEMS運動處理方案對消費類電子的影響

對設備在三維空間中的運動進行測量及智能處理的運動處理技術(shù)，將是下一個重大的革命性技術(shù)，會對未來的手持消費電子設備、人機接口、及導航和控制產(chǎn)生重大影響。
這場變革的推動力量是基于微機電系統(tǒng)(MEMS)的消費級
關(guān)鍵字：消費電子影響對消方案運動處理 MEMS

CMOS與CCD圖像傳感器

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
關(guān)鍵字：傳感器圖像 CCD CMOS

不同電源供電的器件間的橋接

半導體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 電源供電

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