ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能
- 中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計(jì)劃已經(jīng)獲得臺(tái)灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會(huì)的核準(zhǔn)，總投資金額達(dá)新臺(tái)幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時(shí)間預(yù)計(jì)3年的情況下，則新廠2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。 華邦電為臺(tái)灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴(kuò)增至4.8萬片，2018年底則擴(kuò)增到5.3萬片。未來，最大的擴(kuò)充能量到5.5萬片時(shí)就已經(jīng)將當(dāng)前臺(tái)中廠的剩余空間給全部用光。 因此，面
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莫大康：中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報(bào)撰文“中國的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實(shí)。 此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 一個(gè)是差距大，希望迅速的成長，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
服務(wù)器DRAM大熱賣、報(bào)價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠
- 今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺(tái)，英特爾Purley平臺(tái)已經(jīng)開始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨，而在云端運(yùn)算、人工智能的帶動(dòng)下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報(bào)價(jià)又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會(huì)大受益。 DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動(dòng)今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM
全球半導(dǎo)體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”
- 在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺(tái)的序幕。然而現(xiàn)在來看，前途仍然充滿荊棘! 國內(nèi)掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購熱 半導(dǎo)體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個(gè)國家的綜合實(shí)力。在日本，半導(dǎo)體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 8月23日晚，中國紫光集團(tuán)斥資240億美元開始興建國內(nèi)首座先進(jìn)存儲(chǔ)芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國
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全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價(jià)格暴漲
- 據(jù)消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導(dǎo)致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格上漲。與此同時(shí)，各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額新高。 在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng)，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量內(nèi)存SKU的建議銷售價(jià)格提升10%至20%。” 以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響：
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
- 隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來前景。 或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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三星移動(dòng)DRAM逆勢調(diào)漲 SK海力士或可望受惠
- 傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機(jī)業(yè)者，協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過程占了上風(fēng)，將有助于2017年下半的半導(dǎo)體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)，可望讓同為韓國存儲(chǔ)器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。 韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預(yù)計(jì)從2017年第4季起，針對大中華地區(qū)智能手機(jī)業(yè)者，祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調(diào)漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)僅針對部分中低價(jià)智能手機(jī)業(yè)者。 韓國業(yè)界
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
紫光國芯又有動(dòng)作 下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利
- 8月21日晚，據(jù)紫光國芯發(fā)布的2017上半年財(cái)報(bào)顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產(chǎn)品開發(fā)方面，紫光國芯最新開發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開始了市場推廣，下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。 作為中國半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，紫光國芯表示，受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤下滑。 據(jù)了解，紫光國芯主營業(yè)務(wù)為集成電路芯片設(shè)計(jì)與銷售，并致力于向用戶提供先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)品以及專業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)布局，紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利
- 今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導(dǎo)、市場需求拉動(dòng)的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計(jì)核心業(yè)務(wù)，同時(shí)開拓了存儲(chǔ)器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場。 8月21日晚間，紫光國芯發(fā)布了2017上半年財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，公司上半年實(shí)現(xiàn)營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
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臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
- 關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電
三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
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