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          臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

          •   據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線,在政策與時(shí)間壓力下,反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。   大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力,但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查,緊盯三大廠竊取專(zhuān)利和營(yíng)業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),仍如火如荼進(jìn)行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
          • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  

          第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成,全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

          •   集邦咨詢(xún)內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看,由于客戶(hù)端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升,第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成,行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量,價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場(chǎng)面,受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn),全球DRAM市場(chǎng)第二
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NOR  

          并購(gòu)路不易走 中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)如何實(shí)現(xiàn)自主替代?

          • 在海外并購(gòu)道路障礙重重的情況下,我們通過(guò)培養(yǎng)積蓄人才來(lái)為中國(guó)創(chuàng)“芯”積攢力量,向2020年實(shí)現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標(biāo)前進(jìn),是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實(shí)現(xiàn)自主替代的路徑。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

          IC Insights:今年全球IC分類(lèi)增長(zhǎng)排行,DRAM達(dá)55%

          •   根據(jù)市場(chǎng)研究調(diào)查機(jī)構(gòu) IC Insights 的預(yù)估,2017 年全球 IC 市場(chǎng)可望成長(zhǎng)約 16%。 其中,在DRAM將成長(zhǎng)更將達(dá) 55%,將是 2017 年中成長(zhǎng)幅度最大的 IC 產(chǎn)品。    ?   IC Insights 表示,DRAM 市場(chǎng) 2013 年與 2014 年分別成長(zhǎng) 32% 及 34%,也都是當(dāng)年成長(zhǎng)最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統(tǒng)計(jì)過(guò)去 5 年,DRAM 市場(chǎng)經(jīng)常是成長(zhǎng)最大,或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項(xiàng)目,顯示 DRAM 市場(chǎng)變化極端的特性。 不過(guò),DRAM 市
          • 關(guān)鍵字: DRAM  IC  

          背靠聯(lián)電的技術(shù),晉華存儲(chǔ)DRAM實(shí)力能否殺出重圍?

          •   在2016年7月16日,投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線一期項(xiàng)目開(kāi)工儀式。        據(jù)資料顯示,晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)項(xiàng)目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級(jí)政府共同投建,總規(guī)劃面積594畝,預(yù)計(jì)于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國(guó)家重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目,晉華項(xiàng)目已納入國(guó)家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項(xiàng)目清單,并獲得首筆30億元國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)建設(shè)基金支持。   此項(xiàng)目堪稱(chēng)晉江所有重
          • 關(guān)鍵字: 晉華存儲(chǔ)  DRAM  

          全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%,其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)

          • ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個(gè)大類(lèi)。近日,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights給出了這33類(lèi)產(chǎn)品在2017年市場(chǎng)狀況的預(yù)期。   33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計(jì))如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色,IC Insights預(yù)計(jì)2017年DRAM總銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)55%,從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)增長(zhǎng)率冠軍。問(wèn)鼎增長(zhǎng)率冠軍對(duì)DRAM市場(chǎng)而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。在過(guò)去5年,DRAM要么是增長(zhǎng)率
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          三星計(jì)劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%

          •   全球DRAM龍頭韓國(guó)三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠,計(jì)劃調(diào)漲第4季行動(dòng)式存儲(chǔ)器(Mobile DRAM)合約價(jià),漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢(shì)可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲(chǔ)器業(yè)者強(qiáng)調(diào),DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁,加上網(wǎng)通類(lèi)產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲(chǔ)器的整合架構(gòu),帶動(dòng)DRAM需求增加,但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷(xiāo)售單價(jià)居高不下,
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          三大內(nèi)存罕見(jiàn)同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%

          •   DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見(jiàn)同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫(xiě)下史上最長(zhǎng)漲勢(shì)。   內(nèi)存業(yè)界表示,2008及2015年都出現(xiàn)過(guò)DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì)排擠,很少看到兩大內(nèi)存同漲。   這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價(jià)格上漲,主要來(lái)自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及計(jì)算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng),前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析 該如何走存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化道路?

          • 近年來(lái),隨著移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展,存儲(chǔ)器產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)也隨之逐步開(kāi)拓,市場(chǎng)需求越來(lái)越大。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM   

          內(nèi)存價(jià)格暴漲一整年:徹底沒(méi)法買(mǎi)了

          • 內(nèi)存、固態(tài)盤(pán)這一年來(lái)不斷漲價(jià),但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)那是相當(dāng)?shù)膰樔恕?/li>
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          2017年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增16% 成長(zhǎng)幅度創(chuàng)近年新高

          •   隨著DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng),調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估,2017年全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模將較2016年大幅成長(zhǎng)16%,創(chuàng)下自2010年增33%以來(lái),最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來(lái),第5度IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。   2017年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)年增55%,NAND Flash年增35%。不過(guò)該機(jī)構(gòu)亦指出,促使DRAM與NAND Flash市場(chǎng)大幅成長(zhǎng)的最主要因素,是來(lái)自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升,并不是受到DRAM與N
          • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

          半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過(guò)哪些難關(guān)

          •   過(guò)去兩年來(lái),隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了新一輪熱潮。中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場(chǎng),且下游需求良好,前景可期。   通盤(pán)來(lái)看,全球前十大半導(dǎo)體廠,有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。   國(guó)外對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施   眾所周知,半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來(lái)自于美日韓半導(dǎo)體廠商的,他們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載,技術(shù)成熟,專(zhuān)利頗多,而對(duì)于中國(guó)近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施,
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM 第三季度合約價(jià)持續(xù)攀高,七月漲幅約 4.6%

          •   集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年,依然維持強(qiáng)勁上漲力道,今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來(lái)到24美元,漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來(lái)到27美元,亦有超過(guò)一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)約4.6%,預(yù)估下半年價(jià)格將會(huì)維持小幅上漲態(tài)勢(shì)。   旺季需求與七月華亞科氣體事件,DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢(shì)   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,時(shí)序進(jìn)入下半年,DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場(chǎng)更
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          存儲(chǔ)器分類(lèi)匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?

          •   RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱(chēng)RAM,random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫(xiě),下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別?! RAM:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,就是它不需要刷新電路,不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣,每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做C
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

          ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

          •   IC Insights的報(bào)告顯示,DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。    不過(guò)因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為,未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ),都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能,大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng),3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當(dāng)高。     近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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          ddr5 dram介紹

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