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          內(nèi)存條掀起的漲價(jià)潮:國(guó)產(chǎn)手機(jī)漲價(jià) 三星成最大贏家

          •   “2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下,以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。   DRAM作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)品類型之一,常見(jiàn)產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要的兩個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)是PC和智能手機(jī)。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺(tái)式機(jī)內(nèi)存在半年內(nèi)價(jià)格從400元左右漲至800元左右,同時(shí)金立集團(tuán)董事長(zhǎng)劉立榮在9月25日媒體交流會(huì)上稱,國(guó)產(chǎn)手機(jī)下半年仍會(huì)漲價(jià),部分原因是內(nèi)存成本上升。   集邦咨詢半導(dǎo)體
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存條  DRAM  

          內(nèi)存條掀起的漲價(jià)潮:國(guó)產(chǎn)手機(jī)漲價(jià) 三星成最大贏家

          • 存儲(chǔ)器作為一種根據(jù)庫(kù)存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè),這一輪漲價(jià)大幅增加了國(guó)產(chǎn)智能手機(jī)和PC廠商的成本,目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià),幅度在100~500元不等。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季

          •   臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠威剛指出,由于服務(wù)器、智能手機(jī)及 PC 等 3 大市場(chǎng)在下半年需求陸續(xù)回溫, DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴(yán)重缺貨。 不但價(jià)格持續(xù)走揚(yáng),PC 大廠及渠道客戶也積極備貨,NAND Flash 閃存也在中國(guó)智能手機(jī)大廠積極備貨的推動(dòng)下,價(jià)格仍呈多頭格局。   威剛進(jìn)一步指出,在國(guó)際數(shù)據(jù)中心大廠對(duì) DRAM 需求快速擴(kuò)張之下,全球 DRAM 廠 2017 年皆無(wú)新增產(chǎn)線的投入,上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng),導(dǎo)致 PC DRAM 供給面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能排擠效應(yīng),
          • 關(guān)鍵字: 威剛  DRAM  

          分析師:顯卡價(jià)格將水漲船高 短期不可能回落

          •   AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對(duì)手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵,因此不少人覺(jué)得雙方的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)拉低顯卡價(jià)格。但是,分析師卻并不這么認(rèn)為。   日本瑞穗金融集團(tuán)分析師Vijay Rakesh認(rèn)為,NVIDIA顯卡在下季度不僅會(huì)需求高漲,銷量可能也會(huì)超過(guò)預(yù)期30-50%之多。但這些需求增長(zhǎng)并非來(lái)自于游戲玩家,而是加密貨幣礦工。   由于需求增長(zhǎng)幅度如此之高,供應(yīng)鏈也遭遇了非常大的壓力,因?yàn)橹圃祜@卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預(yù)計(jì),DRAM的每比特價(jià)格將提高40%,
          • 關(guān)鍵字: 顯卡  DRAM  

          晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)

          •   聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營(yíng)業(yè)秘密,并遭到臺(tái)中地檢署起訴,共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰認(rèn)為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪,但強(qiáng)調(diào)DRAM計(jì)劃不變,將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。   聯(lián)電DRAM項(xiàng)目主要與福建晉華合作。   簡(jiǎn)山杰表示,對(duì)于司法中的案件原本不應(yīng)多言,但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」,高度懷疑「帶槍投靠」是假的,可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡(jiǎn)山杰質(zhì)疑,主要涉案員工夫婦本來(lái)都在美光上班,其中先生去年4月主動(dòng)跳槽聯(lián)電;據(jù)說(shuō),遭檢方搜索以后,妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認(rèn)罪后,妻子就復(fù)
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  

          DDR5可望成為下一代主流存儲(chǔ)器接口?

          • 老的DDR4能不能降個(gè)價(jià),現(xiàn)在實(shí)在買不起。
          • 關(guān)鍵字: DDR5  存儲(chǔ)器  

          將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

          • 員工有無(wú)竊取機(jī)密資料可以查證,企業(yè)有無(wú)教唆員工偷竊,也可以透過(guò)證據(jù)來(lái)佐證,但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為,這十分兩難。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

          •   你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng),當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò),在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上接受與非網(wǎng)的采訪時(shí)說(shuō):&ldquo
          • 關(guān)鍵字: RRAM  DRAM  

          將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

          •   聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個(gè)人被起訴,聯(lián)電也被臺(tái)中地檢署根據(jù)違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”,因此視為共犯。   我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當(dāng)中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中,有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三,如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密,只因?yàn)?ldquo;未積極防范&rdqu
          • 關(guān)鍵字: DRAM  聯(lián)電  

          2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(zhǎng)預(yù)估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢(shì)

          •   隨著時(shí)序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對(duì)明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩,除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo),預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為19.6%,維持在近年來(lái)的低點(diǎn),加上2018年整體DRAM需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%,供給吃緊的態(tài)勢(shì)將延續(xù)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(zhǎng)預(yù)估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢(shì)

          •   隨著時(shí)序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對(duì)明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩,除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo),預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為19.6%,維持在近年來(lái)的低點(diǎn),加上2018年整體DRAM需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%,供給吃緊的態(tài)勢(shì)將延續(xù)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          半導(dǎo)體,中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破?

          • 世界集成電路三強(qiáng):英特爾,三星,高通。光是高通和英特爾兩家,每年就能帶給美國(guó)八九百億美元的營(yíng)收,養(yǎng)活數(shù)萬(wàn)美國(guó)工程師,還能帶來(lái)一百多億美元的凈利潤(rùn)。中國(guó)的經(jīng)濟(jì)升級(jí)最大的兩個(gè)領(lǐng)域是汽車制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來(lái)怎樣能在這兩個(gè)超級(jí)產(chǎn)業(yè)完成逆襲?
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

          DRAM市場(chǎng):海力士率先擴(kuò)產(chǎn),其他企業(yè)能否緊隨其后

          •   DRAM存儲(chǔ)器是有史以來(lái)價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強(qiáng)的又一例證, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年時(shí)間,DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示,2017年DRAM單位存儲(chǔ)價(jià)格(price per bit)漲幅將超過(guò)40%,為史上最高。   僅僅一年前,DRAM采購(gòu)商還在盡可能利用產(chǎn)能過(guò)剩狀況來(lái)向DRAM制造商壓價(jià),根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì)賠多少錢?,F(xiàn)在,DRAM制造商正在“復(fù)仇”,不斷漲
          • 關(guān)鍵字: DRAM  海力士  

          臺(tái)專家:中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

          •   大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開放前的起步探索時(shí)期、改革開放初期的開發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當(dāng)中2014年6月國(guó)務(wù)院發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國(guó)家集成電路大基金,更成為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。     爾后不論是中國(guó)制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng),或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國(guó)家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》,確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          美光:未來(lái)兩季 DRAM供不應(yīng)求

          •   美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示,未來(lái)兩季DRAM仍是供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。   他強(qiáng)調(diào),美光在上季公布財(cái)報(bào)時(shí)也預(yù)估本季營(yíng)收和獲利展望,同時(shí)看好DRAM和儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)未來(lái)營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強(qiáng)勁,但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求,預(yù)估未來(lái)兩季,DRAM仍供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。   艾倫指出,美光目前在DRAM的投資策略,著眼于制程技術(shù)推進(jìn),短期內(nèi)不會(huì)增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠,包括三星、SK海力士,也是
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  
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          ddr5 dram介紹

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