dram 文章 進入dram技術(shù)社區(qū)
2017年DRAM出貨成長率或?qū)⒌陀?0%
- 一般估計，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因為大廠沒有新的投資計劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認(rèn)為，DRAM將有個不算短的好光景。 三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Mi
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新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場
- 存儲器主導(dǎo)著許多SoC，我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題，但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言，總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。 過去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在？
- 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實現(xiàn)一定程度的進口替代，如果進一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷售，在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
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臺媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃，目標(biāo)到了2020年達到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項目標(biāo)恐難達成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據(jù)IC Insights報導(dǎo)指出，現(xiàn)實情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制
- 存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入、高風(fēng)險特性，研究認(rèn)為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。 存儲
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DRAM強漲 金士頓：將缺貨一整年
- 內(nèi)存市況今年持續(xù)看好，據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會預(yù)估，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長17.8%，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強勁成長的主要推手，不少相關(guān)業(yè)者表示，缺貨情況將再延續(xù)半年，第2季有機會呈現(xiàn)小漲走勢。 DRAM報價從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮，開始展開強勁的反彈，迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出，至少還要再缺貨半年，內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說，DRAM將缺貨一整年。 應(yīng)用多元需求走強 臺灣金士頓
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座
- 雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強勢。強大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導(dǎo)致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價格主導(dǎo)權(quán)利。 不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價，據(jù)了解，DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知，
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座
- 雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強勢。強大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導(dǎo)致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價格主導(dǎo)權(quán)利。 不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價，據(jù)了解，DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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美光預(yù)投1,300億未來規(guī)劃中科擴廠計劃
- 中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實，全球DRAM大廠美光預(yù)計在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學(xué)園區(qū)進行擴廠計劃，預(yù)計將增加逾2千個就業(yè)機會。據(jù)悉，美光鎖定中科進行新的3D封測制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運中心。 工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴大投資，總投資金額高達新臺幣1，300億元，也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴廠計劃，將可增加2，000個以上就業(yè)機會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延
- 從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào)，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。 日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
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為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)
- 在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設(shè)?，F(xiàn)在我通過一個事實告訴你原因?，F(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題，進而導(dǎo)致了漲價。 拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預(yù)測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。 存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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