dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來全球移動(dòng)內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動(dòng)設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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SK海力士與美國(guó)完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國(guó)商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國(guó)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國(guó)持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國(guó)政府及美國(guó)商務(wù)部緊密合作，在遵循國(guó)際原則的前提下為保障中國(guó)工廠的運(yùn)營(yíng)盡最大的努力?！泵绹?guó)商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國(guó)生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲(chǔ)器廠聚焦CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報(bào)告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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庫(kù)存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購(gòu)，導(dǎo)致供貨商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫(kù)存，而DRAM供應(yīng)端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫(kù)存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦：明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)
- 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
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美光車規(guī)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗(yàn)
- 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級(jí)高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實(shí)現(xiàn)最高L4級(jí)自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級(jí)LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂和用
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DRAM 內(nèi)存加速降價(jià)，6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來看，6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認(rèn)為，PC 和智能手機(jī)的
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DRAM能否成為半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)晴雨表？
- 在今年Gartner的半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告中指出，從歷史角度來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況，使得價(jià)格上漲，但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過于求的周期，這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問題導(dǎo)致消費(fèi)市場(chǎng)向下修正 俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)打破歐洲和平局面，導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升，整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低，企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開支。早在4月底，美國(guó)商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國(guó)一季度G
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潛力無限的汽車存儲(chǔ)芯片
- 隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧?rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力?！ ∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲(chǔ)芯片為例，2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元，國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?
- 近日，韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測(cè)，在NAND閃存領(lǐng)域，中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
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中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長(zhǎng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
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2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析
- 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析 國(guó)內(nèi)開始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)模化，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機(jī)遇?！ “雽?dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
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TrendForce：DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì)，并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象，使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴(kuò)大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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