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          X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

          • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術:基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
          • 關鍵字: X-FAB  BCD-on-SOI  嵌入式數(shù)據(jù)存儲  

          晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

          • 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器,提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度,實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質量。通過BSI NIR+技術,安防監(jiān)控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈,并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC,可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領域。?場景應用圖?產(chǎn)品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-K30
          • 關鍵字: 晶像光電  SOI  JX-K302P  物聯(lián)網(wǎng)感測器  

          晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

          • 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器,提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術??纱钆洳煌脚_SOC,適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術,可為在低光或無光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性,同時降低總功耗
          • 關鍵字: 晶像光電  SOI JX-F355P  物聯(lián)網(wǎng)感測器  

          意法半導體為MCU開啟FD-SOI時代

          • 意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級進化,并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產(chǎn)品。
          • 關鍵字: 意法半導體  MCU  FD-SOI  STM32  

          SOI芯片熱潮再起,中國市場信心大增

          • 受到美國政府的干擾,中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難,同時也給原來沒有得到足夠關注的技術或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇,SOI(絕緣體上硅)制程工藝就是其中之一。2019 年之前,當先進制程工藝演進到 10nm 時,當時昂貴的價格,以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題,一直是業(yè)界關注的難題,SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點,才引起人們關注的,它最大的特點就是成本可控,且漏電流非常小,功耗低。在實際應用中,SOI 主要分為 FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)和 RF-SOI(射頻絕緣體上硅)。FD-SO
          • 關鍵字: SOI  

          解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題, Power-SOI 推動智能功率器件創(chuàng)新

          • 混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設計如今廣受關注,一個重要的技術趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車,它還適用于更常見的內(nèi)燃機汽車。汽車應用 48V 電網(wǎng)48V 系統(tǒng)有何獨特之處?與在常規(guī)的供電條件下一樣,48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學規(guī)律,與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關。供電仍需要電流與電壓的結合,但電勢差(損耗)隨電流
          • 關鍵字: Power-SOI  Soitec  

          X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

          • 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
          • 關鍵字: X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  

          攻克復雜性障礙:下一代 SOI 天線調(diào)諧

          • 過去十年,天線調(diào)諧技術領域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強,能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調(diào)諧能力提高了設計靈活性,并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候,科技似乎在飛速發(fā)展,日新月異——產(chǎn)品變得越來越小,處理速度越來越快,我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言,這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時,技術開發(fā)工程師每推出一代新技術,都會做出漸進式改進,通過這種持續(xù)改善來幫
          • 關鍵字: Qorvo  SOI   

          大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡攝像機(IPC)方案

          • 致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于晶視智能(CVITEK)CV1821芯片和晶相光電(SOI)JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡攝像機(IPC)方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來,消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展,推動了智能監(jiān)控技術的革新,也驅動了IPC(網(wǎng)絡攝像機)的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機,IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果,還具有網(wǎng)絡輸出接口,可直接將攝像機接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
          • 關鍵字: 大聯(lián)大友尚  CVITEK  SOI  網(wǎng)絡攝像機  

          ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

          • 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點,包括FD-SOI。ST和GF預計,該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片,到2026年將達到滿負荷生產(chǎn),每年生產(chǎn)多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠,長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看,F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法,可以實現(xiàn)FinF
          • 關鍵字: FD-SOI  GAAFET  FinFET  

          意法半導體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠,推進 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設

          • ·????? 隨著世界經(jīng)濟向數(shù)字化和脫碳轉型,新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術,包括格芯排名前列的 FDX? 技術和意法半導體針對汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施等應用開發(fā)的節(jié)點低至18納米的全面技術·????? 預計該項合作投資金額達數(shù)十億歐元,其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
          • 關鍵字: 意法半導體  12英寸  晶圓廠  FD-SOI  

          CEA、Soitec、格芯、意法半導體攜手推動下一代FD-SOI技術發(fā)展規(guī)劃

          • CEA、Soitec、格芯(GlobalFoundries)和意法半導體宣布一項新合作協(xié)議,四家公司計劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術發(fā)展規(guī)劃。半導體組件和FD-SOI技術創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大益處,包括更低功耗以及易于整合更多功能,例如,通訊聯(lián)機和安全保護,這對汽車、物聯(lián)網(wǎng)和行動應用而言,其優(yōu)勢是FD-SOI技術的一個重要特質。CEA主席Francois Jacq表示,二十多年來,在Grenoble-Crolles生態(tài)系統(tǒng)中,CEA一
          • 關鍵字: CEA  Soitec  格芯  意法半導體  FD-SOI  

          田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真

          • 介紹了一種田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片,經(jīng)過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結構的巧妙設計,有效避免了平面內(nèi)和垂直方向的交叉軸干擾的影響,并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設計,理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果,可以得出結論:所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力,在慣性傳感器領域有一定的應用前景。
          • 關鍵字: 微加速度計  SOI  交叉軸干擾  靈敏度  

          Soitec以新技術為自動駕駛發(fā)展保駕護航

          • 作為一家設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的技術領導企業(yè),來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來助力整個信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新,通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料,確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務。特別是伴隨著5G技術的不斷推進,基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關重要的作用,可以說Soitec的技術是促進5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然,“幕后英雄”也因為其先進的技術獲得企業(yè)的飛速發(fā)展,Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
          • 關鍵字: Soitec  RF-SOI  FD-SOI  

          格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄,未來將長期供應12英寸SOI晶圓

          • 全球領先的半導體晶圓代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓(Globalwafers.Co.,Ltd)簽訂合作備忘錄(MOU),協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長期供應。 環(huán)球晶圓是全球領先的8英寸SOI制造者之一,也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應商,雙方長期保持著良好的合作關系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商,基于雙方未來發(fā)展與穩(wěn)定供應需求,環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作,有力擴大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
          • 關鍵字: 硅晶圓  SOI  
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