IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
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HBM 內存 三星
有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續(xù)合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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三星 內存 HBM
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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三星 HBM 內存芯片 英偉達
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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三星 存儲 HBM 英偉達
IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數億美元量級的營收，而在 25 財年相關業(yè)務的銷售額將增加到數十億美元。美光預測，未來數年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調升了本財年資本支出的預計規(guī)模，從 75~80 億美
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美光 HBM 內存
三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續(xù)增，生產排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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HBM DRAM TrendForce
近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
近期，媒體報道三星電子在最新財報電話會議中表示，未來存儲業(yè)務的重心不再放在消費級PC和移動設備上，而將放在HBM、DDR5服務器內存以及企業(yè)級SSD等企業(yè)領域。三星存儲業(yè)務副總裁 Kim Jae-june在電話會議上透露，公司計劃到今年年底，HBM芯片的供應量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產量再翻一番。AI熱潮推動下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產品在今年已經售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經售罄。這一背景下，三星調整業(yè)務方向，專攻HBM等高附加值產品也就順理成章。另據媒體報道，三
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存儲 HBM 先進封裝
2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數據、算力的不斷升級，AI產業(yè)正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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三星 海力士 美光 HBM
根據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional
DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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HBM DRAM TrendForce
·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產品性能·“以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發(fā)預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代
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海力士 HBM 臺積電
市場對人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統(tǒng)售價更高。在此帶動下，從今年
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HBM 存儲 先進封裝
三星組建了由DRAM產品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內存產能與質量提升團隊。據外媒報道，近日，三星電子DS部門負責人慶桂顯表示，三星內部正采取雙軌AI半導體策略，同步提高在AI用存儲芯片和AI算力芯片領域的競爭力。三星組建了由DRAM產品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內存產能與質量提升團隊。此外，慶桂顯稱客戶對于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長，并有部分客戶表達了將Mach系列芯片應用于超1000B參數大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
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HBM AI推理芯片
4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內部正采取雙軌 AI 半導體策略，同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分，三星組建了由 DRAM 產品與技術負責人 Hwang Sang-joon 領導 HBM 內存產能與質量提升團隊，這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內存上進行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內存市場領軍地位：2019 年，三星因對未來市場的錯誤預測
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三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高帶寬內存，是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片。如果說傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設計"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設計"方式。目前，HBM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)?？梢钥吹?，HBM 每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨特的 2.5D/3D 內存架構，迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3 不僅
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