EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
hbm
hbm 文章 進(jìn)入hbm技術(shù)社區(qū)
美光表示24年和25年大部分時(shí)間的高帶寬內(nèi)存已售罄
- 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)上處于劣勢(shì)，但看起來(lái)情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時(shí)間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場(chǎng)份額。圖片來(lái)源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議準(zhǔn)備的講話(huà)中表示?！拔覀兝^續(xù)預(yù)計(jì) HBM
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲(chǔ) AI HBM
黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息，本周二在美國(guó)加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱(chēng)為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會(huì)之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱(chēng)英偉達(dá)會(huì)從三星采購(gòu) HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會(huì)上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
- 關(guān)鍵字： 黃仁勛 三星 英偉達(dá) HBM 內(nèi)存
存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品
- 近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配N(xiāo)VIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
- 關(guān)鍵字： DDR 美光科技 HBM
集邦咨詢(xún)：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DDR HBM
2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
- 關(guān)鍵字： DDR GDDR6 HBM
三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱(chēng)熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
存儲(chǔ)大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝
- SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專(zhuān)注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開(kāi)。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國(guó)投資超過(guò)10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開(kāi)發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) HBM 先進(jìn)封裝
HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲(chǔ)廠商的狂歡？
- 近期，存儲(chǔ)廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對(duì)外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價(jià)較高，確實(shí)會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器廠商營(yíng)收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場(chǎng)的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)。存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺(tái)前，并成為推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)能。不過(guò)，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲(chǔ)廠商的“狂歡”。如今，存儲(chǔ)大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
- 關(guān)鍵字： HBM 存儲(chǔ)
全球HBM戰(zhàn)局打響！
- AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢(shì)增長(zhǎng)的風(fēng)景線(xiàn)。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場(chǎng)動(dòng)靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲(chǔ)兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶(hù)發(fā)生變動(dòng)、被劃進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱(chēng)為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲(chǔ)器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
- 關(guān)鍵字： 三星 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 HBM
美光、SK海力士今年HBM已售罄
- 繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
- 關(guān)鍵字： HBM
兩家存儲(chǔ)大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開(kāi)始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對(duì)外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲(chǔ)大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開(kāi)始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶(hù)提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) HBM SK海力士 美光科技
價(jià)格暴漲500%，HBM市場(chǎng)徹底被引爆
- 內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個(gè)背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時(shí)代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢(shì)顯而易見(jiàn)。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越 DDRDDR 是一種常見(jiàn)的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計(jì)的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見(jiàn)的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過(guò)去還
- 關(guān)鍵字： HBM
SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
- 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損 1.91 萬(wàn)億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績(jī)卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷(xiāo)售額為 258.16 萬(wàn)億韓元（1.4 萬(wàn)億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門(mén)業(yè)績(jī)不佳影響，三星電子全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬(wàn)億韓元（544
- 關(guān)鍵字： SK海力士 HBM
hbm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條hbm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
hbm專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473