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hbm 文章 進(jìn)入hbm技術(shù)社區(qū)
大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存
- 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見(jiàn)、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月?tīng)I(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
- 關(guān)鍵字： DDR5 HBM 內(nèi)存 TrendForce
你所需要知道的HBM技術(shù)
- 在2024年即將到來(lái)之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
- 關(guān)鍵字： HBM DDR AI GPU 美光 海力士
DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開(kāi) RAM，特別是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對(duì)芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對(duì)于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
- 關(guān)鍵字： DRAM 封裝技術(shù) HBM
存儲(chǔ)器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
- 今年以來(lái)，ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來(lái)到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DDR5 HBM
一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
- 關(guān)鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進(jìn)封裝
三星、美光大動(dòng)作，擴(kuò)產(chǎn)HBM
- 存儲(chǔ)市場(chǎng)消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動(dòng)能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購(gòu)三星顯示（Samsung Display）韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星已開(kāi)發(fā)出9.8Gbps的H
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HBM 的未來(lái)是光速 - 集成光子學(xué)的未來(lái)設(shè)計(jì)
- HBM 的未來(lái)不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 全球峰會(huì)上，三星先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì) Yan Li 向我們展示了一個(gè)比我們想象的更加集成的未來(lái)：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進(jìn)一步發(fā)展，熱和晶體管密度問(wèn)題可能會(huì)得到解決。 通過(guò)光子學(xué)來(lái)解決。 光子學(xué)基于一種可以對(duì)單個(gè)光子（光的粒子/波）信息進(jìn)行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當(dāng)前計(jì)算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達(dá)到飛秒級(jí)，傳播速度接近光
- 關(guān)鍵字： HBM 集成電路
三星、美光計(jì)劃擴(kuò)大HBM產(chǎn)能
- 在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。三星還計(jì)劃再投資7000億至1萬(wàn)億韓元，用于新建新的封裝線。此前報(bào)道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開(kāi)發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計(jì)劃開(kāi)始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星還正在開(kāi)發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對(duì)高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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抓住 AI 大趨勢(shì)，三星、美光積極籌備 HBM 擴(kuò)建計(jì)劃
- IT之家 11 月 8 日消息，在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張 HBM DRAM。圖源：三星最新報(bào)道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計(jì)劃再投資 7000 億至 1 萬(wàn)億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報(bào)道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開(kāi)發(fā)出速度為 9.8Gbp
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大模型市場(chǎng)，不止帶火HBM
- 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到 2.9 億 GB，同比增長(zhǎng)約 60%，2024 年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng) 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過(guò) TSV 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)，問(wèn)世 10 年后 HBM 似乎真的來(lái)到了大規(guī)模商業(yè)化的時(shí)代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務(wù)器對(duì)帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
- 關(guān)鍵字： HBM ChatGPT AI
AI及HPC需求帶動(dòng)對(duì)HBM需求容量將年增近60%
- 為解決高速運(yùn)算下，存儲(chǔ)器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無(wú)法同步成長(zhǎng)的問(wèn)題，高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）應(yīng)運(yùn)而生，其革命性傳輸效率是讓核心運(yùn)算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來(lái)到2.9億GB ，2024年將再成長(zhǎng)三成。TrendForce集邦咨詢預(yù)估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
- 關(guān)鍵字： AI HPC HBM TrendForce
三星將于今年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM芯片
- AI服務(wù)器需求，帶動(dòng)HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲(chǔ)大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日?qǐng)?bào)道，三星電子將于今年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長(zhǎng)的人工智能（AI）市場(chǎng)。根據(jù)報(bào)道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲(chǔ)芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)到6.4Gbps，有助于提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)計(jì)算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會(huì)議上表示，該公司計(jì)劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM
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