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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用
- 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
- 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 微結(jié)構(gòu)
美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入
- 三星、SK海力士及美光確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
- 關(guān)鍵字： 美光 EUV DRAM
TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%
- 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問題而大量備料，使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位，庫(kù)存迭高問題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM
三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！ 〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存 DRAM DDR5
EUV技術(shù)開啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關(guān)鍵字： EUV DRAM
SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動(dòng)終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
- 關(guān)鍵字： 美光 176層NAND 1α DRAM
美光專家對(duì)1α節(jié)點(diǎn)DRAM的解答
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)1α 節(jié)點(diǎn)DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
- 關(guān)鍵字： 202104 DRAM
2021年DRAM與NAND增長(zhǎng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)
- 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，該公司舉辦了線上媒體溝通會(huì)，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對(duì)DRAM、NAND的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(zhǎng)19%展望2021年，全球GDP增長(zhǎng)約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲(chǔ)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定
- 存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長(zhǎng)Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。目前主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在DRAM領(lǐng)域，韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％
- 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日?qǐng)?bào)道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國(guó)對(duì)華為的制裁所致，這加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據(jù)市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì)，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對(duì)比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲(chǔ)卡和用于 USB 的多層單元存儲(chǔ)（MLC）
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
完全漲不動(dòng)：內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底
- 根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。簡(jiǎn)單回顧下，內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動(dòng)了PC等設(shè)備的需求增長(zhǎng)，內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈，但持續(xù)的時(shí)間并不長(zhǎng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者，其季節(jié)性的購(gòu)買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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