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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
- 關(guān)鍵字： 美光 數(shù)據(jù)中心 DRAM DDR5
中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?
- 近日，韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據(jù)該研究院推測(cè)，在NAND閃存領(lǐng)域，中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長(zhǎng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片 DRAM NAND Flash
2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析
- 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析 國(guó)內(nèi)開始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機(jī)遇?！ “雽?dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM 市場(chǎng)
TrendForce：DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì)，并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象，使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴(kuò)大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3～8％
- 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過(guò)8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存，采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英偉達(dá) HBM3 DRAM
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
- 關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出，爭(zhēng)取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長(zhǎng)動(dòng)能，同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢(shì)強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn)，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
- 關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級(jí)版本，以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM
第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫(kù)存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購(gòu)買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來(lái)源，故整體第二季DRAM仍有供過(guò)于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)影響，引發(fā)PC OEM對(duì)第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長(zhǎng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達(dá)3～8％，且可能會(huì)進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 集幫咨詢
LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)與LPDRR5對(duì)比：帶寬增至8533Mbps
- 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)號(hào) JESD209-5B。新版標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)目前已經(jīng)應(yīng)用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強(qiáng)了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。新標(biāo)準(zhǔn)表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機(jī)等產(chǎn)品。具體來(lái)看：（1）LPDDR5X 將實(shí)現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號(hào) TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 LPDDR5X 內(nèi)存
三星LPDDR5X內(nèi)存來(lái)了：比LPDDR5快約1.2倍
- 2022年3月3日 三星半導(dǎo)體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內(nèi)存已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機(jī)上提升超高分辨率視頻錄制性能和語(yǔ)音識(shí)別、圖像識(shí)別、自然語(yǔ)言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內(nèi)存采用先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和動(dòng)態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼內(nèi)存全球銷售和營(yíng)銷
- 關(guān)鍵字： LPDDR5X LPDDR5 三星
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