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中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語(yǔ)權(quán)
- 今年下半年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響?！ 《S著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！ ∧壳埃袊?guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)?！ 〗趥鞒龊戏书L(zhǎng)鑫投產(chǎn)8
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價(jià)
- 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計(jì)高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國(guó)平澤工廠以及中國(guó)西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報(bào)道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來(lái)SSD的繼續(xù)降價(jià)是基本沒(méi)懸念的事?！ ∪騈AND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢(shì)必讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用同樣的策略?！ ∮袌?bào)道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。 其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
- 關(guān)鍵字： NAND CAPEX
美光科技就中國(guó)福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國(guó)子公司在中國(guó)制造、銷
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無(wú)線通訊市場(chǎng)大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng)下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)的需求最為強(qiáng)勁。 隨著企業(yè)和儲(chǔ)存市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲(chǔ)存類別增長(zhǎng)率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對(duì)于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲(chǔ)存市場(chǎng)資深總監(jiān)Crai
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線通訊 NAND
96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒
- 為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來(lái)越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對(duì)應(yīng)的解決方案?！ ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲(chǔ)存密度，NAND Flash供貨商正
- 關(guān)鍵字： NAND，芯片
DRAM/NAND存儲(chǔ)器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績(jī)看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首。 南亞科昨日股價(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺(tái)幣，后同)，但獲外資逆勢(shì)敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味。 南亞科今年首季每股盈余(EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場(chǎng)仍持續(xù)供不應(yīng)求，對(duì)今年整體營(yíng)運(yùn)表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開(kāi)始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會(huì)上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實(shí)現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)對(duì)讀取密集型且性能敏感的云存儲(chǔ)的需求。 隨著工作負(fù)載的演變以滿足對(duì)于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元
- 當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲(chǔ)器，中國(guó)市場(chǎng)基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來(lái)幾年，中國(guó)生產(chǎn)存儲(chǔ)就會(huì)逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。 對(duì)此，韓國(guó)企業(yè)也開(kāi)始關(guān)注中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的加入。韓國(guó)預(yù)測(cè)，在2022年時(shí)會(huì)因?yàn)橹袊?guó)競(jìng)爭(zhēng)的影響，韓國(guó)企業(yè)將減少78億美元的存儲(chǔ)器的銷售金額。 根據(jù)韓國(guó)媒體《et
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 NAND
內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)
- 根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因?yàn)闆](méi)有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場(chǎng)會(huì)如此強(qiáng)勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)，其中三星獲益匪淺，
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長(zhǎng)了21.7%，年成長(zhǎng)率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長(zhǎng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(zhǎng)幅度最大，較2016年成長(zhǎng)81.2%;美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(zhǎng)了79.7%。 對(duì)此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
我國(guó)首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)
- 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。 目前，我國(guó)通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口，國(guó)家存儲(chǔ)器基地于2017年成功研發(fā)我國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，有望使我國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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