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各家爭(zhēng)鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭(zhēng)再掀戰(zhàn)火
- 在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢(shì)。 根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo)，在本屆大會(huì)上，三星電子(Samsung Electr
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 NAND
具有劃時(shí)代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列
- 對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，微芯片是一些長(zhǎng)著小小的金屬針，標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對(duì)那些懂的人來(lái)說(shuō)，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對(duì)整個(gè)計(jì)算環(huán)境造成了長(zhǎng)期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！ 榱思o(jì)念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個(gè)“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
- 關(guān)鍵字： FPGA NAND
1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)。 三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開(kāi)始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
- 關(guān)鍵字： V-NAND NVMe
三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb
- 相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢(shì)，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。 三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 其
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
東芝傳計(jì)劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND
- 日刊工業(yè)新聞7日?qǐng)?bào)導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計(jì)劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計(jì)于2018年度動(dòng)工、 2021年度啟用，總投資額將達(dá)1兆日?qǐng)A的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 該座3D NAND新工廠興建計(jì)劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡(jiǎn)稱TMC)」負(fù)責(zé)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
存儲(chǔ)器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫(xiě)，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別?！ RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做C
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
半導(dǎo)體人才流失中國(guó)，三星呼吁韓國(guó)政府幫忙
- 根據(jù)韓國(guó)英文媒體 《The Korea Times》 的報(bào)導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國(guó)政府喊話，要韓國(guó)政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問(wèn)題。 報(bào)導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門(mén)的權(quán)五鉉，日前在一項(xiàng)公開(kāi)演講中指出，韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。 不過(guò)，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問(wèn)題。 權(quán)五鉉進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國(guó)政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
解讀：上半年中國(guó)固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
- 受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域SSD強(qiáng)勁需求，2017年上半年NAND Flash價(jià)格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計(jì)，NAND Flash價(jià)格累計(jì)漲幅達(dá)26%，消費(fèi)類每GB銷售價(jià)格突破了0.3美金。 ? 2017年上半年，中國(guó)市場(chǎng)智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價(jià)格持續(xù)走高，高價(jià)壓力下的SSD市場(chǎng)呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)的關(guān)注度有所回升。 ?
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND
ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。 不過(guò)因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片
- 韓國(guó)三星電子有限公司本周二表示，計(jì)劃在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 近年來(lái)，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來(lái)推動(dòng)NAND閃存的
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
ICinsights:DRAM、NAND漲勢(shì)第四季微幅逆轉(zhuǎn)
- ICinsights認(rèn)為，全球內(nèi)存下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 盡管漲勢(shì)減緩，但DRAM與NAND今年?duì)I收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價(jià)快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價(jià)今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%，此為1993年有記錄以來(lái)之最。 內(nèi)存價(jià)格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動(dòng)能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù)，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 ICinsights指出，隨著價(jià)格走揚(yáng)，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
KBS：聚焦韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
- 韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國(guó)平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個(gè)同盟，將投標(biāo)收購(gòu)日本東芝的內(nèi)存部門(mén)。今天，我們邀請(qǐng)到了韓國(guó)真好經(jīng)濟(jì)研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。 根據(jù)IT市場(chǎng)研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場(chǎng)上的份額為35.4%。 這個(gè)數(shù)字具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但平澤半導(dǎo)體廠
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃
- 這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 汽車電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR的拐點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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