nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
3D NAND存儲助力智能手機應(yīng)用進入新時代
- 前言 全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應(yīng)用，而且還使用更為復雜的應(yīng)用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(VR)/增強現(xiàn)實(AR)等方面更大的技術(shù)進步?！ ≡谀承┑貐^(qū)，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經(jīng)習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群，這些用戶經(jīng)常使用高級在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲
ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
STM32的flash知識詳解
- 說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)?！ LASH分類 根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當使用ISP方
- 關(guān)鍵字： STM32 flash
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
潘健成：明年3D NAND進入96層 群聯(lián)準備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
旺宏NAND論文 獲國際肯定
- 內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內(nèi)存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
- 關(guān)鍵字： 旺宏 NAND
讓汽車更智能，適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP
- 被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向?！ ±?，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
- 關(guān)鍵字： NAND LPDDR4
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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