nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%
- CINNOResearch對閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作
- 日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實現(xiàn)全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價格上更貼近客戶需求?！ ≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待
- NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價后，在2018年價格開始大幅下滑，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價格指數(shù)已累積下滑高達63%，其中主流SSD價格跌幅也高達約50%?！ lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價格更加親民，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格，消費類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金，480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場報價更是分別低至25美金(24
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賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司
- 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！ ≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會長期為客戶提
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2018年NAND Flash價格跌幅超過50%，背后原因為何！
- 隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及，以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡(luò)、無人駕駛等熱潮的興起，數(shù)據(jù)存儲需求與日俱增。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，預(yù)計2018年全球存儲市場規(guī)模將達到1500億美元?！ ≡?月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上，央視記者采訪了存儲產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的知名企業(yè)，比如：西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等，同時業(yè)內(nèi)大咖也分享了對存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法?！ ⊙胍曍斀?jīng)頻道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產(chǎn)出增加存儲容量
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西部數(shù)據(jù)擴展視頻存儲和分析產(chǎn)品系列 滿足終端智能視頻的動態(tài)需求
- 北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個安防監(jiān)控存儲解決方案更新，擴展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動管理其存儲子系統(tǒng)、維持運行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！ ?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)產(chǎn)品市場總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素
- 前言 多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！ ∽畛酰琋AND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進汽車系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤
- 西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進汽車系統(tǒng)和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強的性能，滿足了汽車設(shè)備嚴格的質(zhì)量和可靠性要求。 車聯(lián)網(wǎng)需要以越來越高的容量快速可靠地存儲數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng)的
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關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定?！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元
- 根據(jù)《韓聯(lián)社》報導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計劃持續(xù)擴大這條產(chǎn)線，不過詳細內(nèi)容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線?！ K海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會持續(xù)維持在市場的競爭力。韓國大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
- 關(guān)鍵字： SK NAND
不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入
- 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?！ ≈瞥痰膬纱箅y點 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數(shù)量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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